IRF620PBF, Транзистор полевой N-канальный 200В 5.2А 50Вт, 0.8 Ом
*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта
MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Транзистор полевой N-канальный 200В 5.2А 50Вт, 0.8 Ом
Транзистор полевой N-канальный 200В 5.2А 50Вт, 0.8 Ом
Производитель:
Vishay
Артикул:
IRF620PBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220AB
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт
-
Вес брутто2.7 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRF620PBF
The IRF620PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.8 ом при 3.1a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Крутизна характеристики, S | 1.5 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Вес, г | 2.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара