IRF7307TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 5.2 А/-4.3 А, 2 Вт, 0.05 Ом/0.09 Ом

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 5.2 А/-4.3 А, 2 Вт, 0.05 Ом/0.09 Ом
Код товара: 66290
Дата обновления: 23.06.2021 19:10
Цена от: 32,87 руб.
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка IRF7307TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 5.2 А/-4.3 А, 2 Вт, 0.05 Ом/0.09 Ом в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    SOIC8
  • Тип упаковки
    Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка
    100 шт.
  • Вес брутто
    0.2 г.
  • Тип транзистора
  • Максимальное напряжение сток-исток
  • Маскимальный ток стока
  • Максимальная рассеиваемая мощность

Описание IRF7307TRPBF

Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 5.2 А/-4.3 А, 2 Вт, 0.05 Ом/0.09 Ом

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.2 А

Максимальная рабочая температура+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока4,7 А, 5,7 А
Тип корпусаSOIC
Максимальное рассеяние мощности2 Вт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Ширина4мм
Высота1.5мм
Размеры5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистораSI
Количество элементов на ИС2
Длина5мм
Transistor ConfigurationИзолированный
Типичное время задержки включения8.4 ns, 9 ns
ПроизводительInfineon
Типичное время задержки выключения32 ns, 51 ns
СерияHEXFET
Минимальная рабочая температура-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage0.7V
Minimum Gate Threshold Voltage0.7V
Максимальное сопротивление сток-исток70 мОм, 140 мОм
Максимальное напряжение сток-исток20 V
Число контактов8
КатегорияМощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs20 nC @ 4.5 V, 22 nC @ 4.5 V
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds610 пФ при 15 В, 660 пФ при 15 В
Тип каналаN, P
Максимальное напряжение затвор-исток-12 V, +12 V
Вес, г0.15

Аналоги