IRF7307TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 5.2 А/-4.3 А, 2 Вт, 0.05 Ом/0.09 Ом
MOSFET N/P-CH Si 20V 5.7A/4.7A 8-Pin SOIC T/R
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 5.2 А/-4.3 А, 2 Вт, 0.05 Ом/0.09 Ом
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 5.2 А/-4.3 А, 2 Вт, 0.05 Ом/0.09 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF7307TRPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSO-8
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка4000 шт
-
Вес брутто0.35 г.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Маскимальный ток стока
-
Максимальная рассеиваемая мощность
Описание IRF7307TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.2 А
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 4,7 А, 5,7 А |
Тип корпуса | SOIC |
Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 4мм |
Высота | 1.5мм |
Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
Материал транзистора | SI |
Количество элементов на ИС | 2 |
Длина | 5мм |
Transistor Configuration | Изолированный |
Типичное время задержки включения | 8.4 ns, 9 ns |
Производитель | Infineon |
Типичное время задержки выключения | 32 ns, 51 ns |
Серия | HEXFET |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 70 мОм, 140 мОм |
Максимальное напряжение сток-исток | 20 V |
Число контактов | 8 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 20 nC @ 4.5 V, 22 nC @ 4.5 V |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 610 пФ при 15 В, 660 пФ при 15 В |
Тип канала | N, P |
Максимальное напряжение затвор-исток | -12 V, +12 V |
Вес, г | 0.15 |
Полные аналоги
-
IRF7307PBF MOSFET N/P-CH 20V 8-SOICINFSO-8
Сообщите мне о поступлении товара