IRFD110PBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 1.0А 1.3Вт, 0.54 Ом
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
Транзистор полевой N-канальный 100В 1.0А 1.3Вт, 0.54 Ом
Транзистор полевой N-канальный 100В 1.0А 1.3Вт, 0.54 Ом
Производитель:
Vishay
Артикул:
IRFD110PBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусDIP-4
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка100 шт
-
Вес брутто0.57 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRFD110PBF
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.54 ом при 0.6a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Крутизна характеристики, S | 0.8 |
| Корпус | HVMDIP |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес, г | 0.6 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара