IRFD110PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.0А 1.3Вт, 0.54 Ом
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IRFD110PBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
100 шт
Корпус:
DIP-4
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
99,44 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 16+ 32+ 64+ 200+128,64 ₽ 118,65 ₽ 110,72 ₽ 104,26 ₽ 99,44 ₽Срок:В наличииНаличие:250Минимум:3Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 16+ 32+ 64+ 200+128,64 ₽ 118,65 ₽ 110,72 ₽ 104,26 ₽ 99,44 ₽Срок:В наличииНаличие:50Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
9+159,26 ₽Срок:7 днейНаличие:30Минимум:Мин: 9Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRFD110PBF
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.54 ом при 0.6a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Крутизна характеристики, S | 0.8 |
| Корпус | HVMDIP |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес, г | 0.6 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IRFD110PBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.0А 1.3Вт, 0.54 Ом
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара