SEMiX303GB12E4p, Биполярный транзистор IGBT

Код товара: 848906

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SEMiX303GB12E4p
Производитель:
Описание Eng:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 466A
Тип упаковки:
Paper Box
Нормоупаковка:
6 шт

Описание SEMiX303GB12E4p

SEMiX® Dual IGBT Modules Dual IGBT Modules from Semikron in modern low-profile SEMiX® packages suitable for half-bridge power control applications. The modules use solder-free spring or press-fit contacts to allow for a gate driver mounted directly on top of the module, saving space and offering greater connection reliability. Typical applications include AC inverter drives, UPS, Electronic Welding and Renewable Energy Systems.
For suitable press-fit gate driver modules see 122-0385 to 122-0387

BrandSemikron
Максимальный непрерывный ток коллектора469 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20V
Тип корпусаSEMiX®3p
КонфигурацияСерия
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Тип каналаN
Число контактов11
Конфигурация транзистораСерия
Размеры150 x 62.4 x 17мм
Максимальная рабочая температура+175 °C
Минимальная рабочая температура-40 °C

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Аналоги и возможные замены

DFI450HF12I4ME1 Полный аналог IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой Производитель: Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd.
Наличие:
3 205 шт

Под заказ:
261 шт
Цена от:
от 2 254,07
DFI300HF12I4ME1 Полный аналог IGBT Модуль 1200В, 300А, полумостовой Производитель: Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd.
Наличие:
990 шт

Под заказ:
77 шт
Цена от:
от 1 471,11
Акция
GD300HFY120C6S Полный аналог IGBT модуль 1200B 300А 2 in one-package Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
2 шт

Под заказ:
282 шт
Цена от:
от 4 150,33
MG300HF12TLE3 Полный аналог Модуль IGBT 1200В 300А Производитель: YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Наличие:
3 шт

Под заказ:
142 шт
Цена от:
от 3 014,80
GD450HFY120C6S Полный аналог IGBT модуль 1200B 450А 2 in one-package Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
100 шт

Под заказ:
38 шт
Цена от:
от 7 327,61
XNG450B24KC5A5 Полный аналог IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой Производитель: Xiner Semiconductor Technology Co., Ltd
Наличие:
2 476 шт

Под заказ:
-2 376 шт
Цена от:
от 6 889,62
CM450DX-24T Полный аналог IGBT MOD DUAL 1200V 450A Производитель: Mitsubishi Electric
Наличие:
100 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 7 917,29
CM300DX-24T Полный аналог Силовой модуль IGBT сдвоенный 1200В 300A Производитель: Mitsubishi Electric
Наличие:
100 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 7 414,96
SEMiX453GB12E4p Полный аналог IGBT модуль 1200В, 450A, econo dual 3 Производитель: Semikron Elektronik GmbH
Наличие:
0 шт

Под заказ:
100 шт
Цена от:
от 0,00
2MBI450XNA120-50 Полный аналог IGBT модуль 1200В, 450A, econo dual 3 Производитель: Fujitsu Limited
Наличие:
0 шт

Под заказ:
100 шт
Цена от:
от 0,00
TG450HF12M1-S3A00 Полный аналог IGBT модуль 1200В 450А Производитель: CRRC Times Semiconductor
Наличие:
100 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 7 613,97
2MBI300XNA120-50 Полный аналог Биполярный транзистор IGBT Производитель: Fujitsu Limited
Наличие:
100 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 15 528,83
TG300HF17M1-S300 Полный аналог Биполярный транзистор IGBT Производитель: CRRC Times Semiconductor
Наличие:
100 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 15 528,83
MG450HF12TLE3 Полный аналог Производитель: YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Наличие:
0 шт

Под заказ:
45 шт
Цена от:
от 4 393,01
MIDA-HB12SM-300N Полный аналог Производитель: Протон-Электротекс, Орел
FF300R12MS4 Полный аналог Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 300А Производитель: Infineon Technologies
FF300R12ME7_B11 Полный аналог Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 300А Производитель: Infineon Technologies
Акция
GD300HFU120C6SD Полный аналог IGBT модуль 1200B 300А 2 in one-package Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd.
XNG450B24KC5R Полный аналог IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой Производитель: Xiner Semiconductor Technology Co., Ltd
FF450R12ME4P_B11 Полный аналог IGBT модуль 1200В, 450A, econo dual 3 Производитель: Infineon Technologies
FF450R12ME4 Полный аналог IGBT модуль 1200В, 450A, econo dual 3 Производитель: Infineon Technologies
SEMiX453GB12M7p Полный аналог IGBT модуль 1200В, 450A, econo dual 3 Производитель: Semikron Elektronik GmbH
SEMiX453GM12E4p Полный аналог IGBT модуль 1200В, 450A, econo dual 3 Производитель: Semikron Elektronik GmbH
2MBI450XNB120-50 Полный аналог IGBT модуль 1200В, 450A, econo dual 3 Производитель: Fujitsu Limited
CM450DX-24T1 Полный аналог IGBT модуль 1200В, 450A, econo dual 3 Производитель: Mitsubishi Electric
CM450DXP-24T1 Полный аналог IGBT модуль 1200В, 450A, econo dual 3 Производитель: Mitsubishi Electric
CM450DX-24S1 Полный аналог IGBT модуль 1200В, 450A, econo dual 3 Производитель: Mitsubishi Electric
MMG450WB120B6TN Полный аналог IGBT модуль 1200В, 450A, econo dual 3 Производитель: MacMic
MMG450WE120B6TC Полный аналог IGBT модуль 1200В, 450A, econo dual 3 Производитель: MacMic
SEMiX453GAL17E4p Полный аналог IGBT модуль 1200В, 450A, econo dual 3 Производитель: Semikron Elektronik GmbH
MIDA-HB12SA-450N Полный аналог IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой Производитель: Протон-Электротекс, Орел
AP450HB12ED3A Полный аналог Полумостовой IGBT модуль 1200В, 450A Производитель: APEMIC
SEMiX303GB12M7p Полный аналог Биполярный транзистор IGBT Производитель: Semikron Elektronik GmbH
AP450HB12ED3B Полный аналог Полумостовой IGBT модуль 1200В, 450A Производитель: APEMIC

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SEMiX303GB12E4p , Биполярный транзистор IGBT в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 173
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.