IPB160N04S4-H1

Код товара: 920550

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IPB160N04S4-H1
Производитель:
Нормоупаковка:
1000 шт

Описание IPB160N04S4-H1

Infineon OptiMOS™ T2 Power MOSFETs Infineon’s new OptiMOS ™ -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS™ -T2 product family extends the existing families of OptiMOS™ -T and OptiMOS™.

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

BrandInfineon
Тип каналаN
Максимальный непрерывный ток стока160 А
Максимальное напряжение сток-исток40 В
Тип корпусаD2PAK (TO-263)
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Число контактов7
Максимальное сопротивление сток-исток1,6 мΩ
Номер каналаПоднятие
Максимальное пороговое напряжение включения4V
Минимальное пороговое напряжение включения2V
Максимальное рассеяние мощности167 Вт
Конфигурация транзистораОдинарный
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС1
Высота4.4мм
Ширина9.25мм
Материал транзистораКремний
СерияOptiMOS T2
Минимальная рабочая температура-55 °C
Прямое напряжение диода1.3V
Максимальная рабочая температура+175 °C
Длина10мм
Типичный заряд затвора при Vgs105 нКл при 10 В

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка IPB160N04S4-H1 в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.