BSZ088N03MS G
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
BSZ088N03MS G
Производитель:
Описание Eng:
MOS Transistor N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
Нормоупаковка:
5000 шт
Цена от:
35,21 руб.
Нет в наличии
Описание BSZ088N03MS G
| Серия | OptiMOS 3M |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 3.3 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Вес изделия | 36.120 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TSDSON-8 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.2 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 21 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 35 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 2.4 ns |
| Время нарастания | 3 ns |
| Типичное время задержки выключения | 18 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.3 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 28 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка BSZ088N03MS G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара