IPB031N08N5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPB031N08N5ATMA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 80V, 120A, TO-263
В упаковке:
1000 шт
Цена от:
412,35 руб.
Нет в наличии
Описание IPB031N08N5ATMA1
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | OptiMOS 5 |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Вес изделия | 4 g |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Длина | 10 mm |
| Ширина | 9.25 mm |
| Высота | 4.4 mm |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 167 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.7 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| Qg - заряд затвора | 87 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 12 ns |
| Время нарастания | 18 ns |
| Типичное время задержки выключения | 37 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 76 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPB031N08N5ATMA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 252 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2075 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара