FS150R12KE3, Модуль IGBT силовой
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FS150R12KE3
Производитель:
Артикул производителя:
FS150R12KE3
Описание Eng:
Module Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) 1200V 150A FL BRIDGE
Тип упаковки:
Штучный товар
Нормоупаковка:
1 шт
Цена от:
21 324,66 руб.
Внешние склады
-
1+ 5+ 24+22 285,20 ₽ 21 708,90 ₽ 21 324,66 ₽Срок:25 днейНаличие:48Минимум:Мин: 1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FS150R12KE3
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
|---|---|
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка | Tray |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Длина | 35.6 mm |
| Ширина | 25.4 mm |
| Высота | 12 mm |
| Упаковка / блок | EconoPACK |
| Конфигурация | Hex |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Pd - рассеивание мощности | 700 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 205 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка FS150R12KE3
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 436 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2457 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1836 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 783 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 916 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара