FS150R12KE3, Модуль IGBT силовой
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FS150R12KE3
Производитель:
Артикул производителя:
FS150R12KE3
Описание Eng:
Module Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) 1200V 150A FL BRIDGE
Тип упаковки:
Штучный товар
Нормоупаковка:
1 шт
Цена от:
21 680,05 руб.
Нет в наличии
Описание FS150R12KE3
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
|---|---|
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка | Tray |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Длина | 35.6 mm |
| Ширина | 25.4 mm |
| Высота | 12 mm |
| Упаковка / блок | EconoPACK |
| Конфигурация | Hex |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Pd - рассеивание мощности | 700 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 205 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FS150R12KE3
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара