IXTQ26P20P
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXTQ26P20P
Производитель:
Описание Eng:
Disc Mosfet P Channel-Polar TO-3P (3) | Series: Polar;VDSS (V): -200; RDS(ON),max @ 25 °C (Ω): 0.17; ID, cont @ 25 °C (A): -26; RDS(ON),max @ 25 °C (Ω): 0.17; Gate Charge (nC): 56
В упаковке:
30 шт
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
0,00 руб.
Нет в наличии
Описание IXTQ26P20P
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-3P-3 |
| Упаковка | Tube |
| Серия | IXTQ26P20 |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 5.500 g |
| Длина | 15.8 mm |
| Ширина | 4.9 mm |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 33 ns |
| Время спада | 21 ns |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 170 mOhms |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 26 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 56 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 46 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTQ26P20P
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2392 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара