IXTP14N60X2
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXTP14N60X2
Производитель:
Описание Eng:
Discrete MOSFET 14A 600V X2 TO220 | Series: X2 Class;VDSS (V): 600; RDS(ON),max @ 25 °C (Ω): 0.25; ID, cont @ 25 °C (A): 14; RDS(ON),max @ 25 °C (Ω): 0.25; Gate Charge (nC): 16.7
В упаковке:
50 шт
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
0,00 руб.
Нет в наличии
Описание IXTP14N60X2
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Упаковка | Tube |
| ECCN | EAR99 |
| Серия | IXTP14N60X2 |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 27 ns |
| Время спада | 17 ns |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 180 W |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 250 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 16.7 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7 S |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 23 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTP14N60X2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2392 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара