IXFP10N60P
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXFP10N60P
Производитель:
Описание Eng:
DiscMosfetN-CH HiPerFET-Pola TO-220AB/FP
В упаковке:
50 шт
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
517,89 руб.
Нет в наличии
Описание IXFP10N60P
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
| Brand | IXYS |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 10 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 600 В |
| Тип корпуса | TO-220 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 740 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 5.5V |
| Максимальное рассеяние мощности | 200 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 В, +30 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 32 нКл при 10 В |
| Высота | 9.15мм |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 10.66мм |
| Ширина | 4.83мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Серия | HiperFET, Polar |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFP10N60P
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2392 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара