IXFA7N100P
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXFA7N100P
Производитель:
Описание Eng:
DiscMosfetN-CH HiPerFET-Polar TO-263D2 | Series: Polar;VDSS (V): 1000; RDS(ON),max @ 25 °C (Ω): 1.9; ID, cont @ 25 °C (A): 7; RDS(ON),max @ 25 °C (Ω): 1.9; Gate Charge (nC): 47
В упаковке:
50 шт
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
0,00 руб.
Нет в наличии
Описание IXFA7N100P
| Серия | IXFA7N100 |
|---|---|
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Вес изделия | 1.600 g |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Упаковка | Tube |
| Тип | Polar HiPerFET Power MOSFET |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Длина | 9.65 mm |
| Ширина | 10.41 mm |
| Высота | 4.83 mm |
| Время спада | 44 ns |
| Время нарастания | 49 ns |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.9 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 6 V |
| Qg - заряд затвора | 47 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 42 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.6 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFA7N100P
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2392 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара