IXTT02N450HV
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXTT02N450HV
Производитель:
Описание Eng:
DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-268AA | Series: Very High Voltage;VDSS (V): 4500; RDS(ON),max @ 25 °C (Ω): 625; ID, cont @ 25 °C (A): 0.2; RDS(ON),max @ 25 °C (Ω): 625; Gate Charge (nC): 10.6
В упаковке:
30 шт
Цена от:
4 129,32 руб.
Нет в наличии
Описание IXTT02N450HV
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | IXTT02N450 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 6.500 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-268-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 113 W |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 4.5 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 625 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 10.6 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 143 ns |
| Время нарастания | 48 ns |
| Типичное время задержки выключения | 28 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 90 mS |
Документы и сертификаты
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTT02N450HV
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
