IXTH50P10
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXTH50P10
Производитель:
Описание Eng:
Disc Mosfet P Channel-Std TO-247AD | Series: Standard;VDSS (V): -100; RDS(ON),max @ 25 °C (Ω): 0.055; ID, cont @ 25 °C (A): -50; RDS(ON),max @ 25 °C (Ω): 0.055; Gate Charge (nC): 140
В упаковке:
30 шт
Цена от:
1 428,07 руб.
Нет в наличии
Описание IXTH50P10
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | IXTH50P10 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Высота | 21.46 mm |
| Длина | 16.26 mm |
| Тип | Standard Power MOSFET |
| Ширина | 5.3 mm |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 6.500 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 55 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Qg - заряд затвора | 140 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время нарастания | 39 ns |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Время спада | 38 ns |
| Типичное время задержки выключения | 86 ns |
| Типичное время задержки при включении | 46 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 13 S |
Документы и сертификаты
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTH50P10
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
