Составные биполярные транзисторы (DARLINGTON) средней и большой мощности

Основные параметры:

Uмакс. - Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - эмиттер
Iмакс. - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Pмакс. - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
fгран. - Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ
h21э - Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ
Iкбо - Обратный ток коллектора

В корпусе SOT-23

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., МГц h21э
BCV46 P-N-P 60 0,5 0,36 200 10000
BCV47 N-P-N 60 0,5 0,36 170 10000



В корпусе SOT-223

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., МГц h21э
BCP48 P-N-P 60 0,5 1,5 200 10000
BCP49 N-P-N 60 0,5 1,5 200 10000
BSP50 N-P-N 45 1 1,5 200 2000
BSP51 N-P-N 60 1 1,5 200 2000
BSP52 N-P-N 80 1 1,5 200 2000
BSP60 P-N-P 45 1 1,5 200 2000
BSP61 P-N-P 60 1 1,5 200 2000
BSP62 P-N-P 80 1 1,5 200 2000



В корпусе TO-92

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., МГц h21э
BC516 P-N-P 30 0,5 0,5 220 >30000
BC517 N-P-N 30 0,5 0,5 220 >30000
BC875* N-P-N 45 1 0,8 200 >1000
BC879* N-P-N 80 1 0,8 200 >1000

    *Интегрированный демпферный диод коллектор-эмиттер

В корпусе TO-126

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., МГц h21э
BD675 N-P-N 45 4 40 7 >750
BD676 P-N-P 45 4 40 7 >750
BD677 (A) N-P-N 60 4 40 7 >750
BD678 (A) P-N-P 60 4 40 7 >750
BD679 (A) N-P-N 80 4 40 7 >750
BD680 (A) P-N-P 80 4 40 7 >750
BD681 N-P-N 100 4 40 7 >750
BD682 P-N-P 100 4 40 7 >750



В корпусе TO-218

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., МГц h21э
BU931ZP N-P-N 400 15 135   >300
BDW83C N-P-N 100 15 150 >1 >750
BDW84C P-N-P 100 15 150 >1 >750
TIP141 N-P-N 80 10 125   >1000
TIP142 N-P-N 100 10 125   >1000
TIP145 P-N-P 60 10 125   >1000
TIP146 P-N-P 80 10 125   >1000
TIP147 P-N-P 100 10 125   >1000



В корпусе TO-220

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., МГц h21э
BD646 P-N-P 60 8 63 7 >750
BD650 P-N-P 100 8 63 7 >750
BDW93C N-P-N 100 12 80 >20 >750
BDW94C P-N-P 100 12 80 >20 >750
BDX33C N-P-N 100 10 70 >20 >750
BDX34C P-N-P 100 10 70 20 >750
BDX53B N-P-N 80 8 60   >750
BDX53C N-P-N 100 8 60   >750
BDX54C P-N-P 100 8 60   >750
BU806* N-P-N 200 8 60   >50
BU807* N-P-N 300 8 60   >50
TIP121* N-P-N 80 5 65   >1000
TIP122* N-P-N 100 5 65   >1000
TIP125* P-N-P 60 5 65   >1000
TIP126* P-N-P 80 5 65   >1000
TIP127* P-N-P 100 5 65   >1000
TIP131 N-P-N 80 8 70   >1000
TIP132 N-P-N 100 8 70   >1000
TIP135 P-N-P 60 8 70   >1000
TIP136 P-N-P 80 8 70   >1000
TIP137 P-N-P 100 8 70   >1000
TIP142T N-P-N 100 10 125   >1000

    *Интегрированный демпферный диод коллектор-эмиттер

В корпусе TO-3

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., МГц h21э
MJ10023 N-P-N 400 40 250   50-600
MJ11016 N-P-N 120 30 200 >4 >1000
MJ11032 N-P-N 120 50 300   >1000
MJ11033 P-N-P 120 50 300   >1000
  • Наименование
    К продаже
    Цена от
К продаже:
28 839 шт.
Цена от:
23,64
К продаже:
761 шт.
Цена от:
33,84
К продаже:
87 шт.
Цена от:
123,42
К продаже:
2 039 шт.
Цена от:
102,48
К продаже:
272 шт.
Цена от:
46,32
К продаже:
1 445 шт.
Цена от:
39,90
К продаже:
73 шт.
Цена от:
85,56
К продаже:
214 шт.
Цена от:
99,30
К продаже:
2 032 шт.
Цена от:
69,54
К продаже:
55 шт.
Цена от:
45,42
К продаже:
475 шт.
Цена от:
50,34
К продаже:
5 228 шт.
Цена от:
8,64
К продаже:
927 шт.
Цена от:
28,86
К продаже:
1 439 шт.
Цена от:
45,00
К продаже:
1 605 шт.
Цена от:
13,86
К продаже:
207 шт.
Цена от:
110,34
К продаже:
2 464 шт.
Цена от:
94,08
К продаже:
968 шт.
Цена от:
38,94
К продаже:
852 шт.
Цена от:
129,12
К продаже:
382 шт.
Цена от:
4,80
К продаже:
5 140 шт.
Цена от:
5,94
К продаже:
3 150 шт.
Цена от:
15,12
К продаже:
404 шт.
Цена от:
37,92
К продаже:
2 583 шт.
Цена от:
29,70
К продаже:
200 шт.
Цена от:
97,92
К продаже:
2 600 шт.
Цена от:
45,78
К продаже:
19 шт.
Цена от:
26,88
К продаже:
396 шт.
Цена от:
24,42
К продаже:
766 шт.
Цена от:
20,40
К продаже:
497 шт.
Цена от:
61,20
К продаже:
1 167 шт.
Цена от:
34,68
К продаже:
418 шт.
Цена от:
41,28
  • Производитель
    Корпус
    Описание
TO-220
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 65 Вт
TO-220
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 65 Вт
TO-220AB
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 90 Вт
TO-247
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 10 А, 125 Вт
TO-220
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 5 А, 65Вт
TO-220
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 60 Вт
TO-220
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 70 Вт
TO-220
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 70 Вт
TO-220
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 12 А, 80 Вт
TO-220
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 10 А, 70 Вт
TO-220
Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 10 А, 70 Вт
SOT-23
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 0.8 А, 0.36 Вт
SOT-223
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.5 Вт
TO-126
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 4 А, 40 Вт
TO-126
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А, 40 Вт
TO-220F
Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 12 А, 33 Вт
TO-247
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 10 А, 125 Вт
TO-126
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 4 А, 40 Вт
TO-220AB
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 90 Вт
SOT-23 (TO-236AB)
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 0.5 А, 0.25Вт
SOT-23
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 0.5 А, 0.25 Вт
TO-126
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 4 А
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 4 А
TO-126
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 4 А, 40 Вт
TO-220AB
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 8 А
TO-220
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 60 Вт
SOT-223
Биполярный транзистор 1.5Вт
SOT-223
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 1 А, 1.25 Вт
SOT-223
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.25 Вт
SOT-223
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.9А 1.8Вт
SOT-223
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.25 Вт
TO-220AB
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 5 А, 65 Вт