Составные биполярные транзисторы (DARLINGTON) средней и большой мощности

Основные параметры:

Uмакс. - Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - эмиттер
Iмакс. - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Pмакс. - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
fгран. - Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ
h21э - Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ
Iкбо - Обратный ток коллектора

В корпусе SOT-23

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., МГц h21э
BCV46 P-N-P 60 0,5 0,36 200 10000
BCV47 N-P-N 60 0,5 0,36 170 10000



В корпусе SOT-223

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., МГц h21э
BCP48 P-N-P 60 0,5 1,5 200 10000
BCP49 N-P-N 60 0,5 1,5 200 10000
BSP50 N-P-N 45 1 1,5 200 2000
BSP51 N-P-N 60 1 1,5 200 2000
BSP52 N-P-N 80 1 1,5 200 2000
BSP60 P-N-P 45 1 1,5 200 2000
BSP61 P-N-P 60 1 1,5 200 2000
BSP62 P-N-P 80 1 1,5 200 2000



В корпусе TO-92

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., МГц h21э
BC516 P-N-P 30 0,5 0,5 220 >30000
BC517 N-P-N 30 0,5 0,5 220 >30000
BC875* N-P-N 45 1 0,8 200 >1000
BC879* N-P-N 80 1 0,8 200 >1000

    *Интегрированный демпферный диод коллектор-эмиттер

В корпусе TO-126

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., МГц h21э
BD675 N-P-N 45 4 40 7 >750
BD676 P-N-P 45 4 40 7 >750
BD677 (A) N-P-N 60 4 40 7 >750
BD678 (A) P-N-P 60 4 40 7 >750
BD679 (A) N-P-N 80 4 40 7 >750
BD680 (A) P-N-P 80 4 40 7 >750
BD681 N-P-N 100 4 40 7 >750
BD682 P-N-P 100 4 40 7 >750



В корпусе TO-218

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., МГц h21э
BU931ZP N-P-N 400 15 135   >300
BDW83C N-P-N 100 15 150 >1 >750
BDW84C P-N-P 100 15 150 >1 >750
TIP141 N-P-N 80 10 125   >1000
TIP142 N-P-N 100 10 125   >1000
TIP145 P-N-P 60 10 125   >1000
TIP146 P-N-P 80 10 125   >1000
TIP147 P-N-P 100 10 125   >1000



В корпусе TO-220

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., МГц h21э
BD646 P-N-P 60 8 63 7 >750
BD650 P-N-P 100 8 63 7 >750
BDW93C N-P-N 100 12 80 >20 >750
BDW94C P-N-P 100 12 80 >20 >750
BDX33C N-P-N 100 10 70 >20 >750
BDX34C P-N-P 100 10 70 20 >750
BDX53B N-P-N 80 8 60   >750
BDX53C N-P-N 100 8 60   >750
BDX54C P-N-P 100 8 60   >750
BU806* N-P-N 200 8 60   >50
BU807* N-P-N 300 8 60   >50
TIP121* N-P-N 80 5 65   >1000
TIP122* N-P-N 100 5 65   >1000
TIP125* P-N-P 60 5 65   >1000
TIP126* P-N-P 80 5 65   >1000
TIP127* P-N-P 100 5 65   >1000
TIP131 N-P-N 80 8 70   >1000
TIP132 N-P-N 100 8 70   >1000
TIP135 P-N-P 60 8 70   >1000
TIP136 P-N-P 80 8 70   >1000
TIP137 P-N-P 100 8 70   >1000
TIP142T N-P-N 100 10 125   >1000

    *Интегрированный демпферный диод коллектор-эмиттер

В корпусе TO-3

Наименование Структура Uмакс., В Iмакс., А Pмакс., Вт fгран., МГц h21э
MJ10023 N-P-N 400 40 250   50-600
MJ11016 N-P-N 120 30 200 >4 >1000
MJ11032 N-P-N 120 50 300   >1000
MJ11033 P-N-P 120 50 300   >1000
  • Наименование
    К продаже
    Цена от
К продаже:
22 961 шт.
Цена от:
16,77
К продаже:
2 517 шт.
Цена от:
30,64
К продаже:
125 шт.
Цена от:
71,06
К продаже:
877 шт.
Цена от:
85,05
К продаже:
130 шт.
Цена от:
33,18
К продаже:
2 723 шт.
Цена от:
37,95
К продаже:
250 шт.
Цена от:
72,06
К продаже:
203 шт.
Цена от:
77,15
К продаже:
1 409 шт.
Цена от:
57,19
К продаже:
950 шт.
Цена от:
36,61
К продаже:
438 шт.
Цена от:
44,45
К продаже:
80 шт.
Цена от:
1 928,78
К продаже:
3 637 шт.
Цена от:
7,52
К продаже:
52 714 шт.
Цена от:
16,68
К продаже:
34 шт.
Цена от:
33,29
К продаже:
899 шт.
Цена от:
33,82
К продаже:
919 шт.
Цена от:
24,00
К продаже:
575 шт.
Цена от:
69,84
К продаже:
210 шт.
Цена от:
854,30
К продаже:
2 403 шт.
Цена от:
63,30
К продаже:
763 шт.
Цена от:
29,22
К продаже:
689 шт.
Цена от:
112,63
К продаже:
13 801 шт.
Цена от:
4,09
К продаже:
4 187 шт.
Цена от:
4,53
К продаже:
104 шт.
Цена от:
20,38
К продаже:
414 шт.
Цена от:
28,11
К продаже:
4 145 шт.
Цена от:
21,27
К продаже:
400 шт.
Цена от:
15,51
К продаже:
150 шт.
Цена от:
125,14
К продаже:
908 шт.
Цена от:
34,02
К продаже:
998 шт.
Цена от:
23,33
К продаже:
111 шт.
Цена от:
20,87
К продаже:
3 108 шт.
Цена от:
14,50
К продаже:
905 шт.
Цена от:
34,41
К продаже:
1 164 шт.
Цена от:
21,96
К продаже:
1 000 шт.
Цена от:
16,45
К продаже:
297 шт.
Цена от:
33,88
К продаже:
1 шт.
Цена от:
1 900,87
К продаже:
201 шт.
Цена от:
34,34
  • Производитель
    Корпус
    Описание
TO-220
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 65 Вт
TO-220
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 65 Вт
TO-220AB
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 90 Вт
TO-247
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 10 А, 125 Вт
TO-220
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 5 А, 65Вт
TO-220
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 60 Вт
TO-220
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 70 Вт
TO-220
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 70 Вт
TO-220
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 12 А, 80 Вт
TO-220
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 10 А, 70 Вт
TO-220
Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 10 А, 70 Вт
TO-3
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт
SOT-23
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 0.8 А, 0.36 Вт
SOT-223
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.25 Вт
SOT-223
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.5 Вт
TO-126
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 4 А, 40 Вт
TO-126
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А, 40 Вт
TO-220F
Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 12 А, 33 Вт
TO-3
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт
TO-247
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 10 А, 125 Вт
TO-126
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 4 А, 40 Вт
TO-220AB
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 90 Вт
SOT-23 (TO-236AB)
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 0.5 А, 0.25Вт
SOT-23
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 0.5 А, 0.25 Вт
TO-126
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 4 А
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 4 А
TO-126
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 4 А, 40 Вт
TO-126
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 4 А
TO-220AB
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 8 А
TO-220
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 60 Вт
SOT-223
Биполярный транзистор 1.5Вт
SOT-223
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 1 А, 1.25 Вт
SOT-223
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.25 Вт
SOT-223
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.9А 1.8Вт
SOT-223
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.25 Вт
TO-220
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 65 Вт
TO-220AB
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 5 А, 65 Вт
TO-247
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 10 А
TO-220AB
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 10 А