• Главная
  • Результаты поиска "igbt транзисторы"

igbt транзисторы

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
igbt транзисторы (651)
FGH40N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
290 Вт
Переключаемая энергия:
1.19 мДж
Наличие:
887 шт

Под заказ:
2 074 шт
Цена от:
от 167,10
FGH40N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
349 Вт
Переключаемая энергия:
870 мкДж
Наличие:
770 шт

Под заказ:
1 455 шт
Аналоги:
100 шт
Цена от:
от 150,30
IKW50N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
333 Вт
Переключаемая энергия:
2.36 мДж
Наличие:
648 шт

Под заказ:
255 шт
Цена от:
от 183,72
STGF14NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 28 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
50 А
Макс. рассеиваемая мощность:
28 Вт
Переключаемая энергия:
82 мкДж
Наличие:
238 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 96,90
FGH80N60FDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Импульсный ток коллектора макс.:
160A
Макс. рассеиваемая мощность:
290W
Переключаемая энергия:
1mJ (on), 520 µJ (off)
Наличие:
0 шт

Под заказ:
10 шт
Цена от:
от 374,82
RJH60F7DPQ-A0-T0 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 320 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
90A
Макс. рассеиваемая мощность:
320W
Наличие:
140 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 326,28
GT50J325 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
50A
Макс. рассеиваемая мощность:
240W
Наличие:
15 шт

Под заказ:
1 шт
Цена от:
от 1 735,56
DG20X06T2 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
249 шт

Под заказ:
1 200 шт
Цена от:
от 157,74
DG50X06T2 Биполярный транзистор IGBT, 600В 100А 714Вт
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
30 шт

Под заказ:
2 192 шт
Цена от:
от 128,28
IRG4BC30KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
28 А
Импульсный ток коллектора макс.:
56 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
600 мкДж
Наличие:
133 шт

Под заказ:
1 070 шт
Цена от:
от 179,10
IRG4BC20FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
16 А
Импульсный ток коллектора макс.:
64 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
250 мкДж
Наличие:
50 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 133,14
IRG4PC40WPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
110 мкДж
Наличие:
6 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
418 шт
Цена от:
от 669,18
IRG4PC50FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
70 А
Импульсный ток коллектора макс.:
280 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
1.5 мДж
Наличие:
3 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2 451,18
IRG4PC50KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 52 А, 104 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
52 А
Импульсный ток коллектора макс.:
104 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
1.61 мДж
IRG4PC50UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
55 А
Импульсный ток коллектора макс.:
220 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
990 мкДж
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
434 шт
Цена от:
от 12 199,02