IKW50N60H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт
IGBT+D 600V, 50A, 330W, Tf<24nS, Usat<1.85V
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IKW50N60H3FKSA1
Документы:
Описание IKW50N60H3FKSA1
Характеристики
Структура | n-канал |
---|---|
Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 100 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.85 |
Управляющее напряжение,В | 5.1 |
Мощность макс.,Вт | 333 |
Крутизна характеристики, S | 30 |
Температурный диапазон,С | -55…+150 |
Корпус | to-247 |
Сообщите мне о поступлении товара