to220ab купить оптом и в розницу

IRL1004PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 130А 200Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

130A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

5330пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

100 шт

Под заказ:

700 шт

Цена от:

от 146,00₽

AUIRF3205Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

75A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм @ 66А, 10В

Мощность макс.:

170Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

110нКл @ 10В

Входная емкость:

3450пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

97 шт

Под заказ:

400 шт

Цена от:

от 161,52₽

IRF2903ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 75А 290Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

2.4 мОм

Мощность макс.:

290Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

240нКл

Входная емкость:

6320пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

94 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 99,41₽

BTB12-600BRG Симистор 600В 12А 50мА 4Q

Производитель:

ST Microelectronics

Triac Type:

Standard

Voltage - Off State:

600V

Current - On State (It (RMS)) (Max):

12A

Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max):

1.3V

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm):

120A, 126A

Current - Gate Trigger (Igt) (Max):

50mA

Current - Hold (Ih) (Max):

50mA

Наличие:

77 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 51,36₽

IRGB15B60KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 208 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

31 А

Импульсный ток коллектора макс.:

62 А

Макс. рассеиваемая мощность:

208 Вт

Переключаемая энергия:

220 мкДж

Наличие:

75 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 182,35₽

MJE5742G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 400 В, 8 А, 2 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

400 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

200

Тип монтажа:

Сквозной

Наличие:

62 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 48,31₽

AUIRF1404ZSTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

160А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

56 шт

Под заказ:

800 шт

Цена от:

от 257,60₽

IRFB23N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24А 170Вт, 0.1 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

1960пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

55 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 339,56₽

IRGB20B60PD1PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 215 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

40 А

Импульсный ток коллектора макс.:

80 А

Макс. рассеиваемая мощность:

215 Вт

Переключаемая энергия:

95 мкДж

Наличие:

25 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 466,59₽

SPP03N60S5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.2A

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

420пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

24 шт

Под заказ:

13 000 шт

Цена от:

от 42,85₽

IRGB4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

48 А

Импульсный ток коллектора макс.:

72 А

Макс. рассеиваемая мощность:

250 Вт

Переключаемая энергия:

115 мкДж

Наличие:

23 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 225,26₽

LM317TG Регулируемый стабилизатор с низким падением напряжения положительной полярности, 1.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Тип стабилизатора:

Positive Adjustable

Выходное напряжение:

1.2 V ~ 37 V

Выходной ток:

1.5A

Максимальное входное напряжение:

40V

Наличие:

0 шт

Под заказ:

4 700 шт

Аналоги:

83 955 шт

Цена от:

от 21,69₽

AUIRF3805 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160A

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

3.3 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

290нКл

Входная емкость:

7960пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Под заказ:

1 000 шт

Цена от:

от 393,88₽

BTA16-600CWRG Симистор 600В 16А 35мА 3Q (бесснабберный)

Производитель:

ST Microelectronics

Triac Type:

Alternistor - Snubberless

Voltage - Off State:

600V

Current - On State (It (RMS)) (Max):

16A

Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max):

1.3V

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm):

160A, 168A

Current - Gate Trigger (Igt) (Max):

35mA

Current - Hold (Ih) (Max):

35mA

Наличие:

0 шт

Под заказ:

1 450 шт

Аналоги:

3 605 шт

Цена от:

от 70,22₽

MJE5852G Биполярный транзистор, PNP, 400 В, 8 А, 80 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

400 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

80 Вт

Коэффициент усиления hFE:

5

Тип монтажа:

Сквозной

Наличие:

0 шт

Под заказ:

700 шт

Цена от:

от 154,68₽