to220f

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
to220f (743)
2SD2012 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 3 А, 25 Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
25 Вт
Наличие:
190 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 31,93
FQPF8N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8А 59Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
1.55 Ом
Мощность макс.:
59Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2050пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
183 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 175,53
STP3NK90ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3А 25Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
4.8 Ом
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22.7нКл
Входная емкость:
590пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
178 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 86,70
FDPF3860T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 33Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
38.2 мОм
Мощность макс.:
33.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
179 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 28,53
STP20NM60FP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 45Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
54нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
179 шт

Под заказ:
108 шт
Цена от:
от 362,51
IRFI4321PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 34A
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
34A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
46Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4440пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
177 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 246,55
2SK4013 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6А 45Вт (рекомендуемая замена: TK6A80E)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
168 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 48,06
STP5NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
690пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
163 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 101,19
FDPF39N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 39А 0066 Ом, 37Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
39A
Сопротивление открытого канала:
66 мОм
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
49нКл
Входная емкость:
2130пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
157 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 144,09
BT151X-800R,127 Тиристор 800В 12А 15мА
Производитель:
WeEn Semiconductors
Наличие:
151 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 46,43
BDW93CFP Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 12 А, 33Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
12 А
Наличие:
148 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 66,11
BDW94CFP Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 12 А, 33 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
12 А
Мощность Макс.:
33 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
Наличие:
147 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 80,22
FQPF6N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6А 56Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
2.3 Ом
Мощность макс.:
56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
146 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 167,63
BT139X-600F,127 Симистор 600В 16А 25мА 4Q
Производитель:
WeEn Semiconductors
Triac Type:
Standard
Voltage - Off State:
600V
Current - On State (It (RMS)) (Max):
16A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max):
1.5V
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm):
155A, 170A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max):
25mA
Current - Hold (Ih) (Max):
45mA
Наличие:
136 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 68,45
2SK1602 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.8А 40Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
2.8A
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
136 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 34,67