FQPF8N80C, Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 8 А, 59 Вт

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 8 А, 59 Вт
Код товара: 148818
Дата обновления: 29.07.2021 07:10
Цена от: 94,29 руб.
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка FQPF8N80C, Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 8 А, 59 Вт в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    TO-220F
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    50 шт.
  • Вес брутто
    2.9 г.
  • Напряжение исток-сток макс.
  • Ток стока макс.
    8A
  • Мощность макс.
    59W
  • Тип транзистора

Описание FQPF8N80C

Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 8 А, 59 Вт

The FQPF8N80C is a 800V N-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is well suited for high efficient switched mode power supplies, active power factor correction and electronic lamp ballast based on half bridge topology. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Low gate charge
• 100% Avalanche tested
• Improved system reliability in PFC and soft switching topologies
• Switching loss improvements
• Lower conduction loss

Максимальная рабочая температура+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока8 A
Тип корпусаTO-220F
Максимальное рассеяние мощности59 Вт
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Ширина4.7
Высота9.19мм
Размеры10.16 x 4.7 x 9.19мм
Материал транзистораКремний
Количество элементов на ИС1
Длина10.16мм
Transistor ConfigurationОдинарный
Типичное время задержки включения40 нс
ПроизводительON Semiconductor
Типичное время задержки выключения65 нс
СерияQFET
Минимальная рабочая температура-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage3V
Максимальное сопротивление сток-исток1.55 Ω
Максимальное напряжение сток-исток800 В
Число контактов3
КатегорияМощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs35 nC @ 10 V
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds1580 пФ при 25 В
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 V
Вес, г2