to220f купить оптом и в розницу

IRL530PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15A

Производитель:

Vishay

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

160 мОм

Мощность макс.:

88Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

28нКл

Входная емкость:

930пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

46 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 87,77₽

IRFB7540PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 110A

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

110A

Сопротивление открытого канала:

5.1 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

4555пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

46 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 53,49₽

STP80NF55-08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80А 0,008Ом 300Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

155нКл

Входная емкость:

3850пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

45 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 157,88₽

MBR10150CT Диод Шоттки x2 150V 2x5A 0.85V общ. катод

Производитель:

Galaxy Microelectronics Co.,Ltd

Наличие:

45 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 20,18₽

STP95N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А 3.7 мОм

Производитель:

ST Microelectronics

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

4.7 мОм

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

2200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

43 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 26,30₽

STP62NS04Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 33В 62A

Производитель:

ST Microelectronics

Напряжение сток-исток макс.:

33В

Ток стока макс.:

62A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

47нКл

Входная емкость:

1330пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

43 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 39,42₽

IRLZ44ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

51A

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм

Мощность макс.:

80Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1620пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

42 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 104,27₽

IRFB33N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33А 3.8Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

33A

Сопротивление открытого канала:

56 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

90нКл

Входная емкость:

2020пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

41 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 138,88₽

TIP147T Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 90 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

10 А

Мощность Макс.:

80 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Сквозной

Наличие:

41 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

189 шт

Цена от:

от 129,37₽

IRG7IC28UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 25 А, 40 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600V

Макс. ток коллектора:

25A

Макс. рассеиваемая мощность:

40W

Наличие:

40 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 467,70₽

STP6N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.5A

Производитель:

ST Microelectronics

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

4.5A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1.6 Ом @ 2А, 10В

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

5В @ 100 µA

Заряд затвора:

7.5нКл @ 10В

Входная емкость:

255пФ @ 100В

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

36 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 71,57₽

IRL60B216 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 305A

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

305А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

34 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 162,94₽

IRGB4620DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 32 А, 140 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

32 А

Импульсный ток коллектора макс.:

36 А

Макс. рассеиваемая мощность:

140 Вт

Переключаемая энергия:

75 мкДж

Наличие:

31 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 462,13₽

IXTP3N120 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1.2кВ 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220

Производитель:

Littelfuse

Напряжение сток-исток макс.:

1200В

Ток стока макс.:

3A

Сопротивление открытого канала:

4.5 Ом

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

29 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 359,32₽

STPS41H100CT Диод Шоттки х2 100V 2x20А 0.62V общ.катод

Производитель:

ST Microelectronics

Наличие:

29 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 181,21₽