to247
STGWA40H65DFB
Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт
Под заказ:
750 шт
Цена от:
от 139,45₽
STGWA80H65DFB
469W 650V TO-247 Single IGBTs RoHS
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт
Под заказ:
540 шт
Цена от:
от 192,15₽
STTH60AC06CWL
RECTIFIER, 60A, 600V, TO-247; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V; Forward Current If(AV):60A; Diode Configuration:Dual Common Cathode; Forward Voltage VF Max:2V; Reverse Recovery Time trr Max:-; Forward Surge Curre
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт
Под заказ:
360 шт
Цена от:
от 289,84₽
STW13N80K5
MOSFET, N-CH, 800V, 12A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):0.37ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт
Под заказ:
300 шт
Цена от:
от 367,84₽
STW24N60M6
MOSFET, N-CH, 600V, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:-; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.19ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:-; Power Dissipa
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт
Под заказ:
600 шт
Цена от:
от 392,64₽
STW33N60DM2
MOSFET, N-CH, 600V, 24A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.11ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт
Под заказ:
600 шт
Цена от:
от 416,33₽
STW42N60M2-EP
MOSFET, N-CH, 600V, 34A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:34A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.076ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Powe
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт
Под заказ:
150 шт
Цена от:
от 730,18₽
STWA45N65M5
MOSFET, N-CH, 650V, 35A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.067ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Powe
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт
Под заказ:
150 шт
Цена от:
от 741,25₽
STWA65N60DM6
MOSFET, N-CH, 600V, 38A, 250W, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:38A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.06ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V;
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт
Под заказ:
120 шт
Цена от:
от 955,71₽
TK49N65W5,S1F
650V 49.2A 57m?@10V,24.6A 4.5V One N-channel 400W TO-247 Single FETs, MOSFETs RoHS
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Наличие:
0 шт
Под заказ:
90 шт
Цена от:
от 1 239,65₽
IXFH36N50P
MOSFET, N-CH, 500V, 36A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:36A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.17ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Power
Производитель:
IXYS Corporation
Наличие:
0 шт
Под заказ:
22 шт
Цена от:
от 887,98₽
IXTH34N65X2
MOSFET, N-CH, 650V, 34A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:34A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.096ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Powe
Производитель:
IXYS Corporation
Наличие:
0 шт
Под заказ:
20 490 шт
Цена от:
от 298,34₽
IXYH40N65C3
IGBT DISCRETE TO-247 | Series: Planar
Производитель:
IXYS Corporation
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от:
от 765,09₽
STW18N60DM2
MOSFET, N-CH, 600V, 12A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.26ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт
Под заказ:
360 шт
Цена от:
от 293,36₽
STW27N60M2-EP
MOSFET Transistor N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET Transistor in a TO-247 package
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт
Под заказ:
390 шт
Цена от:
от 273,34₽
Сообщите мне о поступлении товара