to247 купить оптом и в розницу

STW4N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4А 160Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Напряжение сток-исток макс.:

1500В

Ток стока макс.:

4A

Сопротивление открытого канала:

7 Ом

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

23 шт

Под заказ:

9 шт

Цена от:

от 111,81₽

TIP35CW Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 25 А, 125 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

25 А

Мощность Макс.:

125 Вт

Коэффициент усиления hFE:

10

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

3 МГц

Наличие:

19 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 122,10₽

HGTG10N120BND Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

14 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 283,29₽

STGW19NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 21 А, 600 В, 140W

Производитель:

ST Microelectronics

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

42 А

Импульсный ток коллектора макс.:

60 А

Макс. рассеиваемая мощность:

140 Вт

Переключаемая энергия:

85 мкДж

Наличие:

0 шт

Под заказ:

5 шт

Цена от:

от 670,66₽

BU931P Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 400 В, 15 А, 135 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

400 В

Ток коллектора Макс.:

15 А

Мощность Макс.:

135 Вт

Коэффициент усиления hFE:

300

Тип монтажа:

Сквозной

Наличие:

0 шт

Под заказ:

7 шт

Цена от:

от 848,90₽

IGW30N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 187 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600V

Макс. ток коллектора:

60A

Макс. рассеиваемая мощность:

187W

Наличие:

0 шт

Под заказ:

110 шт

Цена от:

от 417,23₽

STW75N60M6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 72A

Производитель:

ST Microelectronics

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

72А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Под заказ:

20 шт

Цена от:

от 1 129,86₽

FGY40T120SMD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

34 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 612,19₽

RHRG30120 Диод выпрямительный общего применения 1200В 30А

Производитель:

ON Semiconductor

Тип диода:

стандартный

Максимальное обратное напряжение (Vr):

1200В (1.2кВ)

Средний прямой ток (Io):

30A

Максимальное прямое напряжение (Vf) при токе If:

3.2В при 30A

Быстродействие:

повышенное, =< 500нс, при токе > 200мА

Время восстановления (trr):

85нс

Ток утечки при Vr:

250 мкА при 1200В

Наличие:

1 653 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 129,74₽

RHRG75120 Диод выпрямительный общего применения 1200В 75А

Производитель:

ON Semiconductor

Тип диода:

стандартный

Максимальное обратное напряжение (Vr):

1200В (1.2кВ)

Средний прямой ток (Io):

75A

Максимальное прямое напряжение (Vf) при токе If:

3.2В при 75A

Быстродействие:

повышенное, =< 500нс, при токе > 200мА

Время восстановления (trr):

100нс

Ток утечки при Vr:

250 мкА при 1200В

Наличие:

788 шт

Под заказ:

730 шт

Цена от:

от 127,75₽

STGW60V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

240 А

Макс. рассеиваемая мощность:

375 Вт

Переключаемая энергия:

750 мкДж

Наличие:

777 шт

Под заказ:

360 шт

Цена от:

от 256,40₽

IRFP7718PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195А 517Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

195A

Сопротивление открытого канала:

1.8 мОм

Мощность макс.:

517Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В

Заряд затвора:

830нКл

Входная емкость:

29550пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

380 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 381,38₽

IRFP7537PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 172A

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

172A

Сопротивление открытого канала:

3.3 мОм

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В

Заряд затвора:

210нКл

Входная емкость:

7020пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

272 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 138,59₽

STGW30V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 258 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

60 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

258 Вт

Переключаемая энергия:

383 мкДж

Наличие:

240 шт

Под заказ:

100 шт

Цена от:

от 188,22₽

MUR3020WTG Диод выпрямительный сборка 200В 15А

Производитель:

ON Semiconductor

Тип Диода:

стандартный

Максимальное обратное напряжение, В:

200

Средний прямой ток, А:

15

Максимальное прямое напряжение, В:

1.05

Быстродействие, нс:

500

Время восстановления, нс:

35

Обратный ток утечки, мкА:

10

Тип монтажа:

в отверстие

Наличие:

178 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 202,86₽