HGTG10N120BND, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А

Код товара: 550009

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
HGTG10N120BND
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-247

Описание HGTG10N120BND

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка HGTG10N120BND , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.