HGTG10N120BND, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
HGTG10N120BND
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Тип упаковки:
Tube (туба)
В упаковке:
30 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
308,39 ₽
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 6+ 12+ 23+ 60+381,89 ₽ 356,72 ₽ 336,75 ₽ 320,48 ₽ 308,39 ₽Срок:В наличииНаличие:88Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание HGTG10N120BND
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка HGTG10N120BND , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 2 раб. дней
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара