HGTG10N120BND, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 35 а
IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
HGTG10N120BND
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-247
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка30 шт
-
Вес брутто6.7 г.
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара