Одиночные биполярные транзисторы

₄₂

Напряжение КЭ Макс.: 250 В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (42)

-6% Акция

BF422 Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 250 мА, 0.83 Вт

Производитель:

Philips Semiconductors - до 2006. NXP Semiconductor - после.

Корпус:

TO92-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

50 мА

Мощность Макс.:

830 мВт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

60 МГц

Наличие:

1 342 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 8,29₽

-6% Акция

BF483 Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 0.1 А, 0.83 Вт

Производитель:

Philips Semiconductors - до 2006. NXP Semiconductor - после.

Корпус:

TO92/formed lead

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Мощность Макс.:

0.83 Вт

Наличие:

150 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 2,38₽

-6% Акция

BF622,115 Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 0.05 А

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-89-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

50 мА

Мощность Макс.:

1.1 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

60 МГц

Наличие:

722 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 6,94₽

-6% Акция

BF822,215 Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 0.05 А, 0.25 Вт

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

50 мА

Мощность Макс.:

250 мВт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

60 МГц

Наличие:

145 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 2,37₽

-6% Акция

BF823,215 Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 0.05 А

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

50 мА

Мощность Макс.:

250 мВт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

60 МГц

Наличие:

1 894 шт

Внешние склады:

10 426 шт

Цена от:

от 3,40₽

-6% Акция

BFN24E6327 Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 0.2А, 0.36 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

0.2 А

Наличие:

6 000 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 5,68₽

MJ15024G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 250 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

250 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

56 шт

Внешние склады:

493 шт

Цена от:

от 421,85₽

MJ15025G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 250 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

250 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

48 шт

Внешние склады:

300 шт

Цена от:

от 351,51₽

-6% Акция

MJ21193G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 250 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

250 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

53 шт

Внешние склады:

210 шт

Цена от:

от 404,60₽

MJ21195G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 250 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

250 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

57 шт

Внешние склады:

200 шт

Цена от:

от 514,12₽

Акция

MJE15032G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 8 А, 50 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

30 МГц

Наличие:

219 шт

Внешние склады:

2 180 шт

Цена от:

от 46,63₽

MJE15033G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 8 А, 50 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

30 МГц

Наличие:

324 шт

Внешние склады:

2 240 шт

Цена от:

от 49,95₽

MJW21193G Биполярный транзистор, PNP, 16A, 250V, 200 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

200 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

43 шт

Внешние склады:

100 шт

Цена от:

от 488,44₽

Акция

TIP47 Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 1 А, 40 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

10 МГц

Наличие:

62 шт

Внешние склады:

2 320 шт

Цена от:

от 43,81₽

BF722,115 Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 0.1 А

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

1.2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

60 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 37,57₽

BF723,115 Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 0.1 А

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

100 мА

Мощность Макс.:

1.2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

60 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

6 000 шт

Цена от:

от 18,04₽

MJ21194G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 250 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

250 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

105 шт

Цена от:

от 1 443,28₽

MJ21196G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 250 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

16 А

Мощность Макс.:

250 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

1 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 369,65₽

MJD47G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Мощность Макс.:

1.56 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

10 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 025 шт

Аналоги:

4 022 шт

Цена от:

от 50,51₽

MJD47T4G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 1 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Мощность Макс.:

1.56 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

10 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

4 022 шт

Аналоги:

2 025 шт

Цена от:

от 32,03₽

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips, Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.31992 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"

Дополнительная информация

Биполярные транзисторы. Принцип работы и применение