Одиночные биполярные транзисторы

21
Коэффициент усиления hFE: 80
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (21)
FMMT560TA FMMT560TA Биполярный транзистор, PNP, 500 В, 0.15 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
500 В
Ток коллектора Макс.:
150 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
Наличие:
32 976 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 4,08
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
17 688 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Аналоги:
103 017 шт
Цена от:
от 2,12
PMBT5551,215 PMBT5551,215 Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.3 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
6 940 шт

Внешние склады:
50 584 шт
Цена от:
от 1,31
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
2 929 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
121 776 шт
Цена от:
от 2,07
Акция
DZT5551-13 DZT5551-13 Биполярный транзистор NPN 160В 0.6A SOT-223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
1 Вт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
1 634 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 5,23
FZT560TA FZT560TA Биполярный транзистор, PNP, 500 В, 0.15 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
500 В
Ток коллектора Макс.:
150 мА
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
Наличие:
1 078 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 28,23
TTA1943(Q) TTA1943(Q) Биполярный транзистор, PNP, 200 В, 15 А, 150 Вт (Комплементарная пара TTC5200) (рекомендуемая замена: 2SA1943N)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
2-21F1A
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
230 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
Наличие:
196 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 615,48
TTC5200(Q) TTC5200(Q) Биполярный транзистор, NPN, 230 В, 15 А, 150 Вт, (Комплементарная пара TTA1943) (рекомендуемая замена: 2SC5200N)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
230 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
Наличие:
66 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 131,51
BSR19A,215 BSR19A,215 Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.3 А, 0,25 Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
43 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 7,59
MJL4281AG MJL4281AG Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 15 А, 230 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-264
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
230 Вт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
35 МГц
Наличие:
21 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 549,09
MJL4302AG MJL4302AG Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 15 А, 230 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-264
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
230 Вт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
35 МГц
Наличие:
18 шт

Внешние склады:
105 шт
Цена от:
от 464,79
Акция
2STC5242 2STC5242 Биполярный транзистор, NPN, 230 В, 15 А, 130Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-3P
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
230 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
FMMT497TA FMMT497TA Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
500 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
75 МГц
Акция
MMBT5551 MMBT5551 Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, 0.35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
124 705 шт
Цена от:
от 0,48
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
124 705 шт
Цена от:
от 0,48
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.06 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-723
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
60 мА
Мощность Макс.:
265 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
MMST5551-7-F MMST5551-7-F Биполярный транзистор NPN 160В 0.2A SC70-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
MMST5551-TP MMST5551-TP Биполярный транзистор NPN 160В 0.2A SOT323
Производитель:
Micro Commercial Components
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
PMBT5551,235 PMBT5551,235 Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.3 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
250 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
57 524 шт
Цена от:
от 1,31
PMST5551,115 PMST5551,115 Биполярный транзистор NPN 160В 0.3A SOT323
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
200 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.33712 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"