Одиночные биполярные транзисторы

₈₈

Тип транзистора: PNP, составной

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (88)

BDX34BG Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 10 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

10 А

Мощность Макс.:

70 Вт

Коэффициент усиления hFE:

750

Тип монтажа:

Сквозной

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

4 538 шт

Цена от:

от 25,89₽

BDX34CG Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 10 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

10 А

Мощность Макс.:

70 Вт

Коэффициент усиления hFE:

750

Тип монтажа:

Сквозной

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

4 538 шт

Цена от:

от 25,89₽

BDX54B Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 8 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

60 Вт

Коэффициент усиления hFE:

750

Тип монтажа:

Сквозной

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

6 588 шт

Цена от:

от 26,87₽

BDX54BG Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

65 Вт

Коэффициент усиления hFE:

750

Тип монтажа:

Сквозной

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

6 588 шт

Цена от:

от 18,84₽

BDX54CG Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

65 Вт

Коэффициент усиления hFE:

750

Тип монтажа:

Сквозной

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

6 588 шт

Цена от:

от 18,84₽

BSP60H6327XTSA1 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 45 В, 1 А, 1.5 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

45 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Мощность Макс.:

1.5 Вт

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 000 шт

Цена от:

от 85,32₽

BSP61,115 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 1 А

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Мощность Макс.:

1.25 Вт

Коэффициент усиления hFE:

2000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

200 МГц

Сообщить о поступлении

BST60,115 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 45 В, 1 А

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-89-3

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

45 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Мощность Макс.:

1.3 Вт

Коэффициент усиления hFE:

2000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

200 МГц

Сообщить о поступлении

BST61,115 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 1 А

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-89-3

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

1 А

Мощность Макс.:

1.3 Вт

Коэффициент усиления hFE:

2000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

200 МГц

Сообщить о поступлении

KSH127TF Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Сообщить о поступлении

Акция

MJD117T4G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

25 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

4 929 шт

Цена от:

от 31,14₽

MJE700G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-225AA

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

40 Вт

Коэффициент усиления hFE:

750

Тип монтажа:

Сквозной

Сообщить о поступлении

MJE703G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-225AA

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

40 Вт

Коэффициент усиления hFE:

750

Тип монтажа:

Сквозной

Сообщить о поступлении

MJH11017G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 150 В, 15 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

150 В

Ток коллектора Макс.:

15 А

Мощность Макс.:

150 Вт

Коэффициент усиления hFE:

400

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

3 МГц

Сообщить о поступлении

MJH6287G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 20 А, 160W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

20 А

Мощность Макс.:

160 Вт

Коэффициент усиления hFE:

750

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

4 МГц

Сообщить о поступлении

NJVMJD117T4G Биполярный транзистор PNP Дарлингтона 100В 2A DPAK-4

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

25 МГц

Сообщить о поступлении

PMBTA64,215 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

30 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

250 мВт

Коэффициент усиления hFE:

20000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

125 МГц

Сообщить о поступлении

PZTA64 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 1.2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

30 В

Ток коллектора Макс.:

1.2 А

Мощность Макс.:

1 Вт

Коэффициент усиления hFE:

20000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

125 МГц

Сообщить о поступлении

TIP107G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Сквозной

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 232 шт

Цена от:

от 38,16₽

TIP115 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 2 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Сквозной

Сообщить о поступлении

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips, Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.31555 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"

Дополнительная информация

Биполярные транзисторы. Принцип работы и применение