8 800 1000 321 - контакт центр

MJD117T4G, Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А

  • MJD117T4G

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А

Документация

DataSheet
Код товара: 219129
Дата обновления: 28.05.2018 03:30
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 2 500 шт: 15.261 руб.
2 500 шт.10 дн.2 500 шт.2 500 шт.
от 2 500 шт: 13.447 руб.
7 500 шт.15 дн.2 500 шт.2 500 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
DPAK/TO252
Нормоупаковка
2500 шт.
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Тип транзистора
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
100 В
Ток коллектора Макс.
2 А
Мощность Макс.
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE
1000
Граничная частота
25 МГц
Напряжение насыщения КЭ
3 В
Тип монтажа
Поверхностный

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
10000 шт.

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
MJD117G
ONSDPAK/TO25216.0649014.135725
MJD117T4
STMDPAK/TO25211.4825715.7435151

Поделиться:
сообщение об ошибке