Одиночные биполярные транзисторы

113
Тип транзистора: NPN, составной
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (113)
FMMT634TA FMMT634TA Биполярный транзистор NPN Дарлингтона 100В 0.9A SOT23-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
0.9 А
FMMTA14TA FMMTA14TA Биполярный транзистор NPN Дарлингтона 40В 0.3A SOT23-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
330 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20000
Тип монтажа:
Поверхностный
FZT600TA FZT600TA Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 140 В, 2 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
140 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
KSP13TA KSP13TA Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
125 МГц
KST13MTF KST13MTF Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
MJD112RLG MJD112RLG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
25 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 537 шт
Цена от:
от 30,34
MJD6039T4G MJD6039T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
500
Тип монтажа:
Поверхностный
Акция
MJE5742G MJE5742G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 400 В, 8 А, 2 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
400 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Сквозной
MJE800G MJE800G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
MJE802G MJE802G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
MJE803G MJE803G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-225AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
40 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
MJF122G MJF122G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Сквозной
MJF6388G MJF6388G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
10 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
3000
Тип монтажа:
Сквозной
MJH11020G MJH11020G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 200 В, 15 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
200 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
400
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
3 МГц
MJH11022G MJH11022G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 250 В, 15 А, 150 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
250 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
150 Вт
Коэффициент усиления hFE:
400
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
3 МГц
MJH6284G MJH6284G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 20 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
20 А
Мощность Макс.:
160 Вт
Коэффициент усиления hFE:
750
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
4 МГц
MMBTA13-7-F MMBTA13-7-F Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
MMBTA14LT1G MMBTA14LT1G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
MMBTA28 MMBTA28 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
800 мА
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
245 шт
Цена от:
от 1,37
NJD35N04G NJD35N04G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 350 В, 4 А, 45 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
4 А
Мощность Макс.:
45 Вт
Коэффициент усиления hFE:
2000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
90 МГц
На странице:

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips,  Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.3393 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"