8 800 1000 321 - контакт центр

MJD122G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А

  • MJD122G

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А

Документация

DataSheet
Код товара: 219131
Дата обновления: 20.11.2018 13:30
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 5 550 шт: 14.931 руб.
от 1 125 шт: 15.202 руб.
от 1 050 шт: 15.608 руб.
6 900 шт.10 раб. дн.75 шт.1 050 шт.
от 5 325 шт: 15.710 руб.
от 1 125 шт: 15.995 руб.
от 675 шт: 16.423 руб.
7 275 шт.15 раб. дн.75 шт.675 шт.
от 4 875 шт: 17.184 руб.
от 975 шт: 17.496 руб.
от 600 шт: 17.964 руб.
17 700 шт.18 раб. дн.75 шт.600 шт.
Показать еще 1 предложений
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
DPAK/TO252
Нормоупаковка
75 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Тип транзистора
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
100 В
Ток коллектора Макс.
8 А
Мощность Макс.
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE
1000
Граничная частота
4 МГц
Напряжение насыщения КЭ
4 В
Тип монтажа
Поверхностный

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
33450 шт.

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
MJD122T4
STMDPAK/TO25214.57411.4296529
MJD122T4G
ONSDPAK/TO25216.3395813.93105000
MJD122TF
ONSD-Pak0.0000.000

Поделиться:
сообщение об ошибке