MJD122G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А

Код товара: 219131

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MJD122G
Производитель:
Описание Eng:
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
75 шт
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Показать аналоги

Технические параметры

Тип транзистора

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.

100 В

Ток коллектора Макс.

8 А

Мощность Макс.

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE

1000

Тип монтажа

Поверхностный

Граничная частота

4 МГц

Корпус

DPAK-3

Вес брутто

0.613 г.

Описание MJD122G

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

MJD122T4 Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ST Microelectronics
Наличие:
7 549 шт

Под заказ:
1 735 шт
Цена от:
от 27,37
MJD122T4G Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor
MJD122TF Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка MJD122G , Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.