8 800 1000 321 - контакт центр

MJD122G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А   

MJD122G

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А

Документация

DataSheet
Код товара: 219131
Дата обновления: 21.09.2017 19:00
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Удаленные склады
Склад №512.90 руб.1500 шт.15 дн.75 шт.750 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
DPAK/TO252
Нормоупаковка
75 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Тип транзистора
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
100 В
Ток коллектора Макс.
8 А
Мощность Макс.
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE
1000
Граничная частота
4 МГц
Напряжение насыщения КЭ
4 В
Тип монтажа
Поверхностный

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
MJD122T4
STMDPAK/TO25210.0912169.3668048
MJD122T4G
ONSDPAK/TO25212.09106912.5295000

Поделиться:
сообщение об ошибке