8 800 1000 321 - контакт центр

MJD122G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А

  • MJD122G

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А

Документация

DataSheet
Код товара: 219131
Дата обновления: 22.08.2018 08:30
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 1 125 шт: 15.506 руб.
от 1 050 шт: 15.920 руб.
2 850 шт.10 дн.75 шт.1 050 шт.
от 1 125 шт: 15.874 руб.
от 675 шт: 16.299 руб.
2 175 шт.15 дн.75 шт.675 шт.
от 975 шт: 17.925 руб.
от 600 шт: 18.405 руб.
2 100 шт.15 дн.75 шт.600 шт.
Показать еще 1 предложений
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
DPAK/TO252
Нормоупаковка
75 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Тип транзистора
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
100 В
Ток коллектора Макс.
8 А
Мощность Макс.
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE
1000
Граничная частота
4 МГц
Напряжение насыщения КЭ
4 В
Тип монтажа
Поверхностный

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
28275 шт.

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
MJD122T4
STMDPAK/TO25213.83116413.9226793
MJD122T4G
ONSDPAK/TO25216.66110814.2138018
MJD122TF
ONSD-Pak0.00037.5918000

Поделиться:
сообщение об ошибке