8 800 1000 321 - контакт центр

MJD122G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А   

  • MJD122G

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А

Документация

DataSheet
Код товара: 219131
Дата обновления: 23.01.2018 09:20
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
Розничный магазин: нет в наличии
Удаленные склады
Склад №311.03 руб.5700 шт.10 дн.75 шт.1350 шт.
Склад №6513.46 руб.7800 шт.15 дн.75 шт.750 шт.
Склад №511.45 руб.1800 шт.15 дн.75 шт.825 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
DPAK/TO252
Нормоупаковка
75 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Тип транзистора
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
100 В
Ток коллектора Макс.
8 А
Мощность Макс.
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE
1000
Граничная частота
4 МГц
Напряжение насыщения КЭ
4 В
Тип монтажа
Поверхностный

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
MJD122T4
STMDPAK/TO25210.0992711.2944568
MJD122T4G
ONSDPAK/TO25212.09106211.6638717

Поделиться:
сообщение об ошибке