8 800 1000 321 - контакт центр

MJD122G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А

  • MJD122G

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А

Документация

DataSheet
Код товара: 219131
Дата обновления: 26.04.2018 10:31
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Удаленные склады
от 1 050 шт: 16.521 руб.
от 975 шт: 16.963 руб.
3 900 шт.10 дн.75 шт.975 шт.
от 5 250 шт: 15.817 руб.
от 1 050 шт: 16.104 руб.
от 675 шт: 16.534 руб.
12 075 шт.14 дн.75 шт.675 шт.
от 975 шт: 17.574 руб.
от 600 шт: 18.044 руб.
1 875 шт.15 дн.75 шт.600 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
DPAK/TO252
Нормоупаковка
75 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Тип транзистора
NPN, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
100 В
Ток коллектора Макс.
8 А
Мощность Макс.
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE
1000
Граничная частота
4 МГц
Напряжение насыщения КЭ
4 В
Тип монтажа
Поверхностный

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
17850 шт.

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
MJD122T4
STMDPAK/TO25210.8979510.13160667
MJD122T4G
ONSDPAK/TO25213.0572613.2110423

Поделиться:
сообщение об ошибке