Одиночные биполярные транзисторы

₁₁₄

Ток коллектора Макс.: 2 А

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (114)

MJD112RLG Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

25 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

4 537 шт

Цена от:

от 30,34₽

MJD117G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

25 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 054 шт

Цена от:

от 31,66₽

Акция

MJD117T4G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

25 МГц

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 054 шт

Цена от:

от 31,66₽

MPS751 Биполярный транзистор PNP 60В 2A TO-92

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

625 мВт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

75 МГц

Сообщить о поступлении

NJVMJD117T4G Биполярный транзистор PNP Дарлингтона 100В 2A DPAK-4

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

25 МГц

Сообщить о поступлении

NJVNJD2873T4G Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

1.68 Вт

Коэффициент усиления hFE:

120

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

65 МГц

Сообщить о поступлении

NSL12AWT1G Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

12 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

450 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Сообщить о поступлении

NSS1C200LT1G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

490 мВт

Коэффициент усиления hFE:

120

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

120 МГц

Сообщить о поступлении

NSS1C200MZ4T1G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

800 мВт

Коэффициент усиления hFE:

120

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

120 МГц

Сообщить о поступлении

NSS1C201LT1G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

490 мВт

Коэффициент усиления hFE:

120

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

110 МГц

Сообщить о поступлении

NSS1C201MZ4T1G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

800 мВт

Коэффициент усиления hFE:

120

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Сообщить о поступлении

NSS20200LT1G Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

20 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

460 мВт

Коэффициент усиления hFE:

250

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Сообщить о поступлении

NSS20201LT1G Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

20 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

460 мВт

Коэффициент усиления hFE:

200

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

150 МГц

Сообщить о поступлении

NSS35200MR6T1G Биполярный транзистор, PNP, 35 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-TSOP

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

35 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

625 мВт

Коэффициент усиления hFE:

100

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Сообщить о поступлении

NSS40200LT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

460 мВт

Коэффициент усиления hFE:

220

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Сообщить о поступлении

NSS40201LT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

40 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

460 мВт

Коэффициент усиления hFE:

200

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

150 МГц

Сообщить о поступлении

NSS60200LT1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 2 А, 0.54Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

460 мВт

Коэффициент усиления hFE:

150

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Сообщить о поступлении

NSS60201LT1G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2 А, 0.54W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

460 мВт

Коэффициент усиления hFE:

150

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

100 МГц

Сообщить о поступлении

NSV1C200LT1G Биполярный транзистор PNP 100В 2A SOT23-3

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

490 мВт

Коэффициент усиления hFE:

120 @ 500mA, 2V

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

120 МГц

Сообщить о поступлении

NSV1C201LT1G Биполярный транзистор NPN 100В 2A SOT23-3

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

2 А

Мощность Макс.:

490 мВт

Коэффициент усиления hFE:

120 @ 500mA, 2V

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

110 МГц

Сообщить о поступлении

Биполярный транзистор – электронный триодный (т.е. имеющий три вывода) полупроводниковый прибор, состоящий из двух p-n переходов между областями эмиттера, базы и коллектора. Биполярный транзистор управляется током, подаваемым на базу. Применяется для усиления электрического сигнала, а также в ряде схем: электронные ключи, ДТЛ-логика, ТТЛ-логика, операционные усилители и т.д.

В интернет-магазине «Промэлектроника» Вы можете купить по низкой цене биполярные транзисторы от отечественных и мировых производителей: Fujitsu, NXP / Philips, Panasonic, RENESAS, Samsung, WeEn, Интеграл, Кремний, ФЗМТ и др. Для заказа доступны биполярные транзисторы различных конфигураций: NPN, PNP, однопереходные с N-базой, транзисторы Дарлингтона и др. В нашем каталоге есть биполярные транзисторы под любую задачу.

Заказать биполярные транзисторы оптом или в розницу легко прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные биполярные транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные биполярные транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные биполярные транзисторы - от 0.33712 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные биполярные транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные биполярные транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"

Дополнительная информация

Биполярные транзисторы. Принцип работы и применение