Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

763
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (763)
ZXTN2010ZQTA ZXTN2010ZQTA Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-89-3
ZXTN2011GTA ZXTN2011GTA Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTN2011ZTA ZXTN2011ZTA Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTN2020FTA ZXTN2020FTA ZXTN2020F Series 4 A 100 V SMT NPN Silicon Medium Power Transistor - SOT-23
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
ZXTN2031FTA ZXTN2031FTA Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 5 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Ток коллектора Макс.:
5 А
Мощность Макс.:
1.2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
ZXTN2038FTA ZXTN2038FTA Биполярный транзистор NPN 60В 1A SOT23-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
60 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
350 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
150 МГц
ZXTN2040FTA ZXTN2040FTA Trans GP BJT NPN 40V 1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTN23015CFHTA ZXTN23015CFHTA Trans GP BJT NPN 15V 6A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTN25012EFHTA ZXTN25012EFHTA TRANS, NPN, 12V, 6A, 150°C, 1.25W;
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTN25012EFLTA ZXTN25012EFLTA Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 2 А, 0.35 Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-3
ZXTN25012EZTA ZXTN25012EZTA Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 6.5 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-89-3
ZXTN25020DFHTA ZXTN25020DFHTA Trans GP BJT NPN 20V 4.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTN25020DFLTA ZXTN25020DFLTA Trans GP BJT NPN 20V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTN25040DFLTA ZXTN25040DFLTA TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:190MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:450hFE; Transistor Case S
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTN25040DZTA ZXTN25040DZTA Trans GP BJT NPN 40V 5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTN25050DFHTA ZXTN25050DFHTA NPN 50V 4A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
ZXTN25060BFHTA ZXTN25060 Series 60 V 3.5 A 1.25 W NPN Medium Power Transistor - SOT23
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTN25060BZTA ZXTN25060BZTA Trans GP BJT NPN 60V 5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXTN25100DFHTA ZXTN25100DFHTA Биполярный транзистор NPN 100В 2.5A SOT23-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2.5 А
Мощность Макс.:
1.25 Вт
Коэффициент усиления hFE:
300
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
175 МГц
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
На странице: