Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1111)

2N3055AG Биполярный транзистор NPN 60В 15А 115Вт Кус 20-70 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 115 Вт Коэффициент усиления hFE: 10 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 6 мГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 396 шт

Цена от:

от 77,75₽

2N3055G Биполярный транзистор NPN 60В 15А 115Вт Кус 20-70 2,5МГц Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 15 А Мощность Макс.: 115 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 2.5 мГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 396 шт

Цена от:

от 77,75₽

2N3442G Биполярный транзистор NPN 140В 10А 117Вт Кус 20-70 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 140 В Ток коллектора Макс.: 10 А Мощность Макс.: 117 Вт Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 80 кГц

Сообщить о поступлении

2N3771G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 30 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 30 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 200 кГц

Сообщить о поступлении

2N3772G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 20 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 200 кГц

Сообщить о поступлении

2N3773G Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 140 В Ток коллектора Макс.: 16 А Мощность Макс.: 150 Вт Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной

Сообщить о поступлении

2N3904BU Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 300 мГц

Сообщить о поступлении

2N3904TA Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.625Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3

Сообщить о поступлении

2N3904TAR Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.625Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА

Сообщить о поступлении

2N3904TAR Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3

Сообщить о поступлении

2N3904TF TRANS NPN 40V 0.2A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3

Сообщить о поступлении

2N3904TFR TRANS NPN 40V 0.2A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3

Сообщить о поступлении

2N3906BU Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А, 0.35 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 250 мГц

Сообщить о поступлении

2N3906TA Биполярный транзистор PNP 40В 0.2A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92_formed_leads Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 250 мГц

Сообщить о поступлении

2N3906TAR Транзистор биполярный PNP 40В 0.2A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 @ 10mA, 1V Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 250 мГц

Сообщить о поступлении

2N3906TFR Биполярный транзистор PNP 40В 0.2A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 250 мГц

Сообщить о поступлении

2N4401BU Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 250 мГц

Сообщить о поступлении

2N4401TA Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.63 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-92_formed_leads Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 250 мГц

Сообщить о поступлении

2N4401TFR Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3

Сообщить о поступлении

2N4403BU Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 625 мВт Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной Граничная частота: 200 мГц

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

10 071 шт

Цена от:

от 2,83₽