Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
Акция
BC857CWT1G BC857CWT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.15 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
14 936 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
77 224 шт
Цена от:
от 3,25
Акция
MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
13 652 шт

Внешние склады:
28 884 шт
Цена от:
от 2,01
BC857ALT1G BC857ALT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
125
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
12 192 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Аналоги:
132 822 шт
Цена от:
от 1,99
BC848BLT1G BC848BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.225W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
11 841 шт

Внешние склады:
8 000 шт
Аналоги:
73 106 шт
Цена от:
от 2,47
BC846ALT1G BC846ALT1G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
110
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
10 921 шт

Внешние склады:
19 082 шт
Аналоги:
194 246 шт
Цена от:
от 1,75
MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.15 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
10 544 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2,66
BCP69T1G BCP69T1G Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 1 А, 1.5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
20 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
85
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
Наличие:
10 260 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 8,60
MJD350T4G MJD350T4G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 15 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
9 607 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
7 170 шт
Цена от:
от 23,50
MMBT4403LT1G MMBT4403LT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А, 0.3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
9 413 шт

Внешние склады:
1 396 шт
Аналоги:
311 486 шт
Цена от:
от 1,55
BCX17LT1G BCX17LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
9 076 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
7 227 шт
Цена от:
от 5,10
BC847BWT1G BC847BWT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
9 006 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
149 059 шт
Цена от:
от 2,37
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
150 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
60
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
8 905 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Аналоги:
191 056 шт
Цена от:
от 2,19
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 0.5 А, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
8 473 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 5,24
Акция
BC858BLT1G BC858BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
8 300 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
109 757 шт
Цена от:
от 1,79
Акция
BC849CLT1G BC849CLT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
8 216 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 107 шт
Цена от:
от 0,84
BC857BLT1G BC857BLT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
7 941 шт

Внешние склады:
5 410 шт
Аналоги:
693 998 шт
Цена от:
от 2,14
Акция
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
Наличие:
7 652 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2,06
PZTA42T1G PZTA42T1G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 1.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
7 175 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 10,26
Акция
BSS63LT1G BSS63LT1G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
95 МГц
Наличие:
6 808 шт

Внешние склады:
11 285 шт
Цена от:
от 2,69
Акция
BCW66GLT1G BCW66GLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
800 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
6 695 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 3,77
На странице: