Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
-6% Акция
BC807-16LT1G BC807-16LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
3 025 шт

Внешние склады:
1 694 шт
Аналоги:
457 655 шт
Цена от:
от 1,10
BC807-25LT1G BC807-25LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
5 544 шт

Внешние склады:
56 851 шт
Аналоги:
638 662 шт
Цена от:
от 1,62
-6% Акция
BC807-25WT1G BC807-25WT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А, 0.46 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
460 мВт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
3 340 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
12 000 шт
Цена от:
от 3,36
BC807-40LT1G BC807-40LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
12 822 шт

Внешние склады:
42 700 шт
Аналоги:
1 663 549 шт
Цена от:
от 2,45
-6% Акция
BC807-40LT3G BC807-40LT3G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
6 495 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 712 576 шт
Цена от:
от 1,35
BC817-16LT1G BC817-16LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
19 664 шт

Внешние склады:
56 000 шт
Аналоги:
1 520 054 шт
Цена от:
от 1,92
BC817-25LT1G BC817-25LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
2 052 шт

Внешние склады:
51 688 шт
Аналоги:
487 833 шт
Цена от:
от 2,16
BC817-40LT1G BC817-40LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А, 0.225W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
668 шт

Внешние склады:
10 000 шт
Аналоги:
2 141 585 шт
Цена от:
от 2,36
BC846ALT1G BC846ALT1G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
110
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
16 999 шт

Внешние склады:
112 334 шт
Аналоги:
366 090 шт
Цена от:
от 1,25
BC846BLT1G BC846BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
71 740 шт

Внешние склады:
167 500 шт
Аналоги:
1 157 010 шт
Цена от:
от 1,33
Акция
BC846BWT1G BC846BWT1G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.15W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
36 130 шт

Внешние склады:
54 000 шт
Аналоги:
829 297 шт
Цена от:
от 1,57
BC847ALT1G BC847ALT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.3W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
110
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
1 641 шт

Внешние склады:
69 000 шт
Аналоги:
666 817 шт
Цена от:
от 1,54
BC847BLT1G BC847BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
75 995 шт

Внешние склады:
108 000 шт
Аналоги:
1 384 127 шт
Цена от:
от 1,05
BC847BTT1G BC847BTT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.2 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
6 799 шт

Внешние склады:
48 000 шт
Цена от:
от 2,20
BC847BWT1G BC847BWT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
16 082 шт

Внешние склады:
24 000 шт
Аналоги:
313 394 шт
Цена от:
от 2,62
BC847CLT1G BC847CLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
43 845 шт

Внешние склады:
341 831 шт
Аналоги:
1 436 921 шт
Цена от:
от 1,11
-6% Акция
BC847CWT1G BC847CWT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.15Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
30 958 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
911 579 шт
Цена от:
от 1,09
BC848ALT1G BC848ALT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
110
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
3 870 шт

Внешние склады:
45 000 шт
Цена от:
от 2,41
BC848BLT1G BC848BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.225W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
12 411 шт

Внешние склады:
59 000 шт
Аналоги:
155 129 шт
Цена от:
от 1,93
Акция
BC848CLT1G BC848CLT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
2 682 шт

Внешние склады:
60 200 шт
Аналоги:
42 000 шт
Цена от:
от 1,74
На странице: