Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
BC817-40LT1G BC817-40LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А, 0.225W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
250
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
13 662 шт

Внешние склады:
12 235 шт
Аналоги:
1 323 240 шт
Цена от:
от 3,48
-5% Акция
MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
200 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
13 652 шт

Внешние склады:
28 884 шт
Цена от:
от 1,85
BC848BLT1G BC848BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.225W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
12 411 шт

Внешние склады:
8 000 шт
Аналоги:
96 096 шт
Цена от:
от 2,61
BC857ALT1G BC857ALT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
125
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
12 022 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Аналоги:
120 534 шт
Цена от:
от 2,12
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
11 996 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Аналоги:
188 580 шт
Цена от:
от 2,26
BCP69T1G BCP69T1G Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 1 А, 1.5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
20 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.5 Вт
Коэффициент усиления hFE:
85
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
60 МГц
Наличие:
11 195 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
100 шт
Цена от:
от 9,17
BC817-16LT1G BC817-16LT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
11 119 шт

Внешние склады:
900 шт
Аналоги:
1 068 806 шт
Цена от:
от 2,07
MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.15 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
300 МГц
Наличие:
10 544 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2,84
BCX17LT1G BCX17LT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
9 041 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
7 227 шт
Цена от:
от 5,44
BC848CLT1G BC848CLT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
9 000 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 3,06
BC847BWT1G BC847BWT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
8 806 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
139 361 шт
Цена от:
от 2,53
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 0.5 А, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
350 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
20
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
200 МГц
Наличие:
8 386 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 5,58
-5% Акция
BC849CLT1G BC849CLT1G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
420
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
8 216 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 107 шт
Цена от:
от 0,84
Акция
BC858BLT1G BC858BLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
220
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
8 100 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
95 137 шт
Цена от:
от 1,89
BC846ALT1G BC846ALT1G Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.3 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
65 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
110
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
7 921 шт

Внешние склады:
18 831 шт
Аналоги:
170 989 шт
Цена от:
от 2,03
Акция
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN, составной
Напряжение КЭ Макс.:
30 В
Ток коллектора Макс.:
300 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
10000
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
125 МГц
Наличие:
7 636 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2,20
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.3W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
100
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
250 МГц
Наличие:
7 604 шт

Внешние склады:
10 000 шт
Аналоги:
2 007 089 шт
Цена от:
от 1,52
-5% Акция
BSS63LT1G BSS63LT1G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 0.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
100 мА
Мощность Макс.:
225 мВт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
95 МГц
Наличие:
6 808 шт

Внешние склады:
11 185 шт
Цена от:
от 2,89
MJD350T4G MJD350T4G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 15 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
6 699 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
8 052 шт
Цена от:
от 25,07
Акция
BCW66GLT1G BCW66GLT1G Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8 А, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
45 В
Ток коллектора Макс.:
800 мА
Мощность Макс.:
300 мВт
Коэффициент усиления hFE:
160
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
100 МГц
Наличие:
6 695 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 4,02
На странице: