Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

1228
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Граничная частота
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1228)
MPSA05RA MPSA05RA TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-226AA-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100hFE
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
12 000 шт
Цена от:
от 9,44
MPSA29 MPSA29 TRANSISTOR, NPN, 100V, 0.5A, TO-92-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:10000hFE;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
8 000 шт
Цена от:
от 13,20
MPSA29-D26Z MPSA29-D26Z BIPOLAR ARRAY, DUAL NPN, 100V, 0.5A/TO92;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
8 000 шт
Цена от:
от 14,68
MPSA42 MPSA42 Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
13 000 шт
Аналоги:
4 704 шт
Цена от:
от 8,09
MSB92AWT1G MSB92AWT1G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
500 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
120
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
50 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 18,48
MSD42WT1G MSD42WT1G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.15 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
300 В
Ток коллектора Макс.:
150 мА
Мощность Макс.:
150 мВт
Коэффициент усиления hFE:
40
Тип монтажа:
Поверхностный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
21 000 шт
Цена от:
от 5,08
NJD1718T4G NJD1718T4G 2.0 A, 50 V PNP POWER TRANSISTOR;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 63,39
NJD35N04T4G NJD35N04T4G TRANSISTOR ARRAY, DUAL NPN, 350V, TO252; Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:350V; Power Dissipation Pd:45W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:300hFE; Transistor Case Style:TO-252;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 75,45
NJL1302DG NJL1302DG Биполярный транзистор, PNP, 260 В, 15 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Тип транзистора:
PNP + диод
Напряжение КЭ Макс.:
260 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
200 Вт
Коэффициент усиления hFE:
75
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
225 шт
Цена от:
от 468,48
NJL3281DG NJL3281DG Биполярный транзистор, NPN, 260 В, 15 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
260 В
Ток коллектора Макс.:
15 А
Мощность Макс.:
200 Вт
Коэффициент усиления hFE:
75
Тип монтажа:
Сквозной
Граничная частота:
30 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
175 шт
Цена от:
от 648,38
NJT4030PT1G NJT4030PT1G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Тип транзистора:
PNP
Напряжение КЭ Макс.:
40 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
2 Вт
Коэффициент усиления hFE:
200
Тип монтажа:
Поверхностный
Граничная частота:
160 МГц
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 19,18
NJV4030PT1G NJV4030PT1G TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, -40V, SOT-223; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency ft:160MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:-3A; DC Current Gain hFE:100hFE; T
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 21,00
NJV4030PT3G NJV4030PT3G Bipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
8 000 шт
Цена от:
от 16,52
NJVMJB45H11T4G NJVMJB45H11T4G TRANS, PNP, 80V, 10A, 150°C, 50W;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 135,87
NJVMJD122T4G NJVMJD122T4G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 35,34
NJVMJD128T4G NJVMJD128T4G Darlington Transistors BIP PNP 8A 120V TR
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 35,85
NJVMJD31CT4G NJVMJD31CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
7 500 шт
Цена от:
от 17,02
NJVMJD41CT4G NJVMJD41CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 43,57
NJVMJD44H11T4G NJVMJD44H11T4G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 39,44
NJVMJD45H11RLG NJVMJD45H11RLG TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, 80V, 8A, TO252;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 600 шт
Цена от:
от 37,66
На странице: