Одиночные цифровые транзисторы Diodes Incorporated оптом и в розницу

DDTC123JCA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+47 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Сообщить о поступлении

DDTC123TCA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сообщить о поступлении

DDTC123YCA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+10 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

DDTC124ECA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 22 кОм+22 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

22k

Сопротивление резистора Э-База R2:

22k

Сообщить о поступлении

DDTC124TE-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 22 кОм+

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-523

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

150mW

Сопротивление резистора базы R1:

22k

Сообщить о поступлении

DDTC143ECA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

4.7k

Сообщить о поступлении

DDTC143EE-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-523

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

150mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

4.7k

Сообщить о поступлении

DDTC143EUA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

4.7k

Сообщить о поступлении

DDTC143TUA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сообщить о поступлении

DDTC143XCA-7-F TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

DDTC143XE-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+10 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-523

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

150mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

DDTC143XUA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+10 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

DDTC143ZCA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+47 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Сообщить о поступлении

DDTC144EE-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-523

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

150mW

Сопротивление резистора базы R1:

47k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Сообщить о поступлении

DDTC144WE-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 47 кОм+22 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-523

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

150mW

Сопротивление резистора базы R1:

47k

Сопротивление резистора Э-База R2:

22k

Сообщить о поступлении

DDTD113ZC-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 1 кОм+10 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

40V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

1k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

DDTD113ZU-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 1 кОм+10 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

1k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

DDTD123EC-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 2.2 кОм+2.2 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сопротивление резистора Э-База R2:

2.2k

Сообщить о поступлении

DDTD123YC-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 2.2 кОм+10 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

DDTD142JU-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 0.47 кОм+

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-323

Сообщить о поступлении