Одиночные цифровые транзисторы NEXPERIA

136
Производитель: NEXPERIA
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Одиночные цифровые транзисторы (136)
PDTC143EM,315 PDTC143EM,315 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R
Производитель:
NEXPERIA
PDTC143ET,235 PDTC143ET,235 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
250mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
4.7k
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
229 383 шт
Цена от:
от 0,79
PDTC143TM,315 PDTC143TM,315 200@1mA,5V 250mW 100mA 50V SOT-883-3 Digital Transistors ROHS
Производитель:
NEXPERIA
PDTC143TU,115 PDTC143TU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
PDTC143ZM,315 PDTC143ZM,315 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+47 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
250mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
PDTC143ZT,235 PDTC143ZT,235 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+47 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
250mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
15 416 шт
Цена от:
от 5,10
PDTC144EMB,315 PDTC144EMB,315 RF TRANSISTOR;
Производитель:
NEXPERIA
PDTC144ET-QR
Производитель:
NEXPERIA
PDTC144TU,115 PDTC144TU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 47 кОм+
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
PDTC144VT,215 PDTC144VT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 47 кОм+10 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
PDTC144VU,115 PDTC144VU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 47 кОм+10 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-323
PDTC144WU,115 PDTC144WU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 47 кОм+22 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
22k
PDTD113ET,215 PDTD113ET,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.25 Вт, 1 кОм+1 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
250mW
Сопротивление резистора базы R1:
1k
Сопротивление резистора Э-База R2:
1k
PDTD123EUX PDTD123EUX TRANS PREBIAS NPN 0.425W
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SC-70
PDTD123TT,215 PDTD123TT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
250mW
Сопротивление резистора базы R1:
2.2k
PDTD143ETR PDTD143ETR Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.32 Вт, 225 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-236AB
На странице: