Одиночные цифровые транзисторы ON Semiconductor оптом и в розницу

Акция

DTA114EET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-75

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Наличие:

3 333 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 2,38₽

Акция

DTC144EET1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 47 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-75

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

47k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

6 598 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 1,26₽

MMUN2111LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Наличие:

12 848 шт

Внешние склады:

115 457 шт

Аналоги:

25 004 шт

Цена от:

от 1,12₽

Акция

MMUN2113LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 47 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

400mW

Сопротивление резистора базы R1:

47k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

9 589 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Цена от:

от 1,00₽

MMUN2114LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

1 036 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 3,65₽

Акция

MMUN2132LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

4.7k

Наличие:

2 156 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 1,68₽

Акция

MMUN2133LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

4 033 шт

Внешние склады:

10 336 шт

Цена от:

от 1,16₽

MMUN2211LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Наличие:

14 861 шт

Внешние склады:

25 850 шт

Аналоги:

37 224 шт

Цена от:

от 1,45₽

MMUN2212LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 22 кОм+22 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

22k

Сопротивление резистора Э-База R2:

22k

Наличие:

14 283 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 2,77₽

Акция

MMUN2213LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 47 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

47k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

8 802 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 1,13₽

MMUN2214LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

10 556 шт

Внешние склады:

23 305 шт

Аналоги:

24 420 шт

Цена от:

от 1,43₽

Акция

MMUN2215LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

400mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Наличие:

13 943 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 0,74₽

Акция

MMUN2216LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

400mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Наличие:

935 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 0,45₽

MMUN2232LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

4.7k

Наличие:

18 673 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

249 284 шт

Цена от:

от 2,03₽

Акция

MMUN2233LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

23 384 шт

Внешние склады:

10 456 шт

Цена от:

от 1,36₽

MMUN2235LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 2.2 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

19 396 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 5,11₽

MUN2111T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-59

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

230mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Наличие:

3 623 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 4,82₽

MUN2211T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-59

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

230mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Наличие:

12 401 шт

Внешние склады:

4 000 шт

Цена от:

от 2,96₽

Акция

MUN2213T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 47 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-59

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

338mW

Сопротивление резистора базы R1:

47k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

65 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 0,65₽

MUN5111T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-70-3 (SOT323)

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

202mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Наличие:

10 902 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 3,21₽