Одиночные цифровые транзисторы ON Semiconductor

131
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Одиночные цифровые транзисторы (131)
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
246mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
Наличие:
42 045 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 654 шт
Цена от:
от 2,08
MUN2211T1G MUN2211T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-59
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
230mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
Наличие:
21 344 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 3,34
-5% Акция
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
246mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
18 386 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1,82
MUN5211T1G MUN5211T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
Наличие:
16 910 шт

Внешние склады:
3 624 шт
Цена от:
от 4,13
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
246mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
4.7k
Наличие:
13 063 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
72 465 шт
Цена от:
от 2,21
-5% Акция
MMUN2215LT1G MMUN2215LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
400mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Наличие:
12 943 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 0,74
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
246mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
Наличие:
12 583 шт

Внешние склады:
42 869 шт
Аналоги:
16 359 шт
Цена от:
от 1,52
-5% Акция
MUN5213T1G MUN5213T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
12 385 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1,02
MUN5111T1G MUN5111T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
Наличие:
11 281 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 4,28
Акция
MUN5235T1G MUN5235T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 2.2 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
2.2k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
9 510 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 3,21
-5% Акция
MMUN2113LT1G MMUN2113LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
400mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
9 355 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1,09
-5% Акция
MUN5133T1G MUN5133T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
8 280 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 0,59
MMUN2114LT1G MMUN2114LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
246mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
7 393 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 4,14
MUN2111T1G MUN2111T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-59
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
230mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
Наличие:
7 066 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2,85
-5% Акция
DTC144EET1G DTC144EET1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
6 588 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1,27
-5% Акция
MUN5233T1G MUN5233T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
6 169 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2,51
-5% Акция
SMUN5213T1G SMUN5213T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
6 000 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2,88
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 22 кОм+22 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
246mW
Сопротивление резистора базы R1:
22k
Сопротивление резистора Э-База R2:
22k
Наличие:
5 999 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2,94
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
246mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
5 405 шт

Внешние склады:
2 185 шт
Аналоги:
7 770 шт
Цена от:
от 2,45
MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 2.2 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
246mW
Сопротивление резистора базы R1:
2.2k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
5 214 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 5,43
На странице: