Сборки цифровых транзисторов Diodes Incorporated

64
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Сборки цифровых транзисторов (64)
-6% Акция
DDC123JU-7-F DDC123JU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+47 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
200 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
2.2 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
Наличие:
2 307 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1,21
ACX114EUQ-13R ACX114EUQ-13R Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.27 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
DCX114EH-7 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DCX114EU-13R-F DCX114EU-13R-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
DCX114EU-7-F DCX114EU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
200 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
10 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
10 кОм
DCX114EUQ-13-F DCX114EUQ-13-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
DCX114EUQ-13R-F DCX114EUQ-13R-F Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
DCX114EUQ-7-F DCX114EUQ-7-F Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
DCX114TU-7-F DCX114TU-7-F Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DCX114YH-7 DCX114YH-7 Транзистор биполярный - С предварительно заданным током смещения 150MW 10K 47K
Производитель:
Diodes Incorporated
DCX114YU-7-F DCX114YU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
DCX114YUQ-7-F DCX114YU Series 50V 100 mA Small Signal complementary Pre-Biased Dual Transistor
Производитель:
Diodes Incorporated
DCX115EK-7-F DCX115EK-7-F Транзистор биполярный - с предварительно заданным током смещения DUAL COMPLEMENTARY
Производитель:
Diodes Incorporated
DCX115EU-7-F DCX115EU-7-F Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DCX123JH-7 DCX123JH-7 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DCX123JU-7-F DCX123JU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+47 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
DCX124EH-7 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Производитель:
Diodes Incorporated
DCX124EK-7-F DCX124EK-7-F Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SC-74R T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DCX124EU-7-F DCX124EU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 22 кОм+22 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
DCX124EUQ-13-F
Производитель:
Diodes Incorporated
На странице: