Сборки цифровых транзисторов ON Semiconductor оптом и в розницу

MUN5214DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Тип транзистора:

2 NPN

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

10 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

47 кОм

Наличие:

29 166 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 5,67₽

MUN5211DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT363-6

Тип транзистора:

2 NPN

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

10 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

10 кОм

Наличие:

20 250 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 3,40₽

MUN5311DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT363-6

Тип транзистора:

NPN/PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

10 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

10 кОм

Наличие:

17 519 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 3,36₽

MUN5314DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT363-6

Тип транзистора:

NPN/PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

10 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

47 кОм

Наличие:

12 897 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 5,82₽

MUN5235DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT363-6

Тип транзистора:

2 NPN

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

2.2 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

47 кОм

Наличие:

6 591 шт

Внешние склады:

419 шт

Цена от:

от 6,95₽

MUN5335DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт,2.2 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT363-6

Тип транзистора:

NPN/PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

2.2 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

47 кОм

Наличие:

5 976 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 820 шт

Цена от:

от 5,71₽

-5% Акция

MUN5313DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 47 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT363-6

Тип транзистора:

NPN/PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

47 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

47 кОм

Наличие:

5 841 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 2,05₽

-5% Акция

MUN5111DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT363-6

Тип транзистора:

2 PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

10 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

10 кОм

Наличие:

4 680 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 1,88₽

-5% Акция

MUN5113DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 47 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT363-6

Тип транзистора:

2 PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

47 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

47 кОм

Наличие:

4 433 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 1,05₽

MUN5333DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт,4.7 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT363-6

Тип транзистора:

NPN/PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

4.7 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

47 кОм

Наличие:

3 662 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 8,38₽

Акция

MUN5232DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Тип транзистора:

2 NPN

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

4.7 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

4.7 кОм

Наличие:

3 277 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 3,84₽

-5% Акция

SMUN5335DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт,2.2 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Тип транзистора:

NPN/PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

187 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

2.2 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

47 кОм

Наличие:

2 820 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

5 976 шт

Цена от:

от 2,21₽

-5% Акция

MUN5312DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 22 кОм+22 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT363-6

Тип транзистора:

NPN/PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

22 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

22 кОм

Наличие:

2 268 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 1,53₽

-5% Акция

MUN5213DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 47 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT363-6

Тип транзистора:

2 NPN

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

47 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

47 кОм

Наличие:

1 800 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 2,63₽

Акция

MUN5233DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Тип транзистора:

2 NPN

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

4.7 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

47 кОм

Наличие:

725 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 3,95₽

-5% Акция

EMC4DXV5T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP 50В 100мА 5-Pin SOT-553 лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

200 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 25,30₽

EMC5DXV5T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.5 Вт, 260 МГц, 47 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.5 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+10 кОм)

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-553

Тип транзистора:

NPN/PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

500 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

47 кОм, 4.7 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

47 кОм, 10 кОм

Связаться с инженером по применению

IMH20TR1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 15 В, 0.6 А, 0.3 Вт, 2.2 кОм+

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-74R

Тип транзистора:

2 NPN

Напряжение КЭ Макс.:

15 В

Мощность Макс.:

300 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

2.2 кОм

Связаться с инженером по применению

MUN5112DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 22 кОм+22 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Тип транзистора:

2 PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

22 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

22 кОм

Связаться с инженером по применению

MUN5114DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Тип транзистора:

2 PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

10 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

47 кОм

Связаться с инженером по применению