Сборки цифровых транзисторов ON Semiconductor

71
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Сборки цифровых транзисторов (71)
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT363-6
Тип транзистора:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
250 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
10 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
10 кОм
Наличие:
57 162 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 2,48
MUN5314DW1T1G MUN5314DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT363-6
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
250 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
10 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
Наличие:
19 359 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 5,27
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
250 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
10 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
Наличие:
17 676 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 3,09
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT363-6
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
250 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
10 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
10 кОм
Наличие:
9 723 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2,73
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT363-6
Тип транзистора:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
250 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
2.2 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
Наличие:
6 777 шт

Внешние склады:
419 шт
Цена от:
от 5,02
Акция
MUN5313DW1T1G MUN5313DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT363-6
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
250 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
47 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
Наличие:
5 851 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1,95
Акция
MUN5135DW1T1G MUN5135DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT363-6
Тип транзистора:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
250 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
2.2 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
Наличие:
4 991 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 0,90
Акция
MUN5111DW1T1G MUN5111DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT363-6
Тип транзистора:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
250 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
10 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
10 кОм
Наличие:
4 935 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1,80
Акция
MUN5113DW1T1G MUN5113DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT363-6
Тип транзистора:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
250 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
47 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
Наличие:
4 433 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 0,99
MUN5333DW1T1G MUN5333DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт,4.7 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT363-6
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
250 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
4.7 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
Наличие:
3 662 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 7,48
Акция
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
250 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
4.7 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
4.7 кОм
Наличие:
3 392 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 3,47
Акция
SMUN5335DW1T1G SMUN5335DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт,2.2 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
187 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
2.2 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
Наличие:
2 820 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
26 шт
Цена от:
от 2,11
Акция
MUN5233DW1T1G MUN5233DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
250 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
4.7 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
Наличие:
2 531 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1,69
Акция
MUN5312DW1T1G MUN5312DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 22 кОм+22 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT363-6
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
250 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
22 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
22 кОм
Наличие:
2 293 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1,45
Акция
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT363-6
Тип транзистора:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
250 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
47 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
Наличие:
1 900 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2,48
Акция
EMC4DXV5T1G EMC4DXV5T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP 50В 100мА 5-Pin SOT-553 лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
200 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 23,78
MUN5335DW1T1G MUN5335DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт,2.2 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT363-6
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
250 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
2.2 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
Наличие:
26 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 820 шт
Цена от:
от 5,10
EMC5DXV5T1G EMC5DXV5T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.5 Вт, 260 МГц, 47 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.5 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+10 кОм)
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-553
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
500 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
47 кОм, 4.7 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм, 10 кОм
IMH20TR1G IMH20TR1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 15 В, 0.6 А, 0.3 Вт, 2.2 кОм+
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-74R
Тип транзистора:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
15 В
Мощность Макс.:
300 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
2.2 кОм
MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 22 кОм+22 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
250 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
22 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
22 кОм
На странице: