Сборки цифровых транзисторов Diodes Incorporated

64
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Сборки цифровых транзисторов (64)
DCX124EUQ-13R-F DCX124EUQ-13R-F Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
DCX124EUQ-7-F DCX124EUQ-7-F Транзистор биполярный - С предварительно заданным током смещения Prebias Transistor
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
DCX143EU-7-F DCX143EU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
200 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
4.7 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
DCX143TU-7-F DCX143TU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
200 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
4.7 кОм
DCX143ZU-7-F DCX143ZU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+47 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
DCX144EH-7 DCX144EH-7 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DCX144EU-7-F DCX144EU-7-F Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DCX144EUQ-7-F DCX144EUQ-7-F Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DCX53-16-13 DCX53-16-13 Транзистор биполярный - BJT 1000W -80Vceo
Производитель:
Diodes Incorporated
DDA113TU-7-F DDA113TU-7-F Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDA114EH-7 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDA114EU-7-F DDA114EU-7-F Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
200 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
10 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
10 кОм
DDA114TU-7-F DDA114TU-7-F Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
DDA114YH-7 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDA114YU-7-F DDA114YU-7-F Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
DDA123JH-7 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDA123JU-7-F DDA123JU-7-F Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+47 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
200 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
2.2 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
DDA124EH-7 DDA124EH-7 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDA124EU-7-F DDA124EU-7-F Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDA143TU-7-F DDA143TU-7-F Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
На странице: