Сборки цифровых транзисторов Diodes Incorporated

64
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Сборки цифровых транзисторов (64)
DDA144EH-7 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDA144EU-7-F DDA144EU-7-F Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
200 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
47 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
DDC113TU-7-F DDC113TU-7-F Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDC114EH-7 DDC114EH-7 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзистора:
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
150mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
DDC114EU-7-F DDC114EU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
DDC114EUQ-13-F Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDC114EUQ-7-F DDC114EUQ-7-F Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
DDC114TH-7 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDC114TU-7 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN Pre-Biased Transistor 50V 100mA 200mW Surface Mount SOT-363
Производитель:
Diodes Incorporated
DDC114TU-7-F DDC114TU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 10 кОм+
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
DDC114YH-7 DDC114YH-7 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDC114YU-7-F DDC114YU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
200 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
10 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
DDC114YUQ-7-F DDC114YUQ-7-F Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
DDC115EU-7-F DDC115EU-7-F Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDC123JH-7 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 50V 100mA 150mW Surface Mount SOT-563
Производитель:
Diodes Incorporated
DDC124EU-7-F DDC124EU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 22 кОм+22 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
200 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
22 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
22 кОм
DDC143EH-7 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDC143TU-7-F DDC143TU-7-F Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
DDC143ZU-7-F DDC143ZU-7-F Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDC144EH-7 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
На странице: