Сборки цифровых транзисторов NEXPERIA

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Сборки цифровых транзисторов (113)
Акция PUMH9,125 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 10 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: TSSOP6 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм
Наличие:
43 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 588 шт
Цена от:
от 2,20
PBLS1502Y,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (15 В, 0.5 А, 0.2 Вт 280 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-363
PBLS1504Y,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (15 В, 0.5 А, 0.2 Вт 280 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+22 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-363
PBLS2001D,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (20 В, 1 А, 0.25 Вт 185 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SC-74
PBLS2002D,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (20 В, 1 А, 0.25 Вт 185 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SC-74
PBLS2021D,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (20 В, 1.8 А, 0.37 Вт 130 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SC-74
PBLS2024D,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (20 В, 1.8 А, 0.37 Вт 130 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+22 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SC-74
PBLS4002D,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (40 В, 1 А, 0.25 Вт 150 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SC-74
PBLS4003D,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (40 В, 1 А, 0.25 Вт 150 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+10 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SC-74
PBLS6001D,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (60 В, 1 А, 0.25 Вт 185 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SC-74
PBLS6002D,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (60 В, 1 А, 0.25 Вт 185 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SC-74
PBLS6004D,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (60 В, 1 А, 0.25 Вт 185 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+22 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SC-74
PBLS6021D,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (60 В, 1 А, 0.37 Вт 150 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SC-74
PBLS6024D,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (60 В, 1 А, 0.37 Вт 150 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+22 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SC-74
PEMB1,115 Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 180 МГц, 22 кОм+22 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: 2 PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 22 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 22 кОм
PEMB10,115 Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 180 МГц, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: 2 PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 2.2 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм
PEMB11,115 Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 180 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: 2 PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 10 кОм
PEMB13,115 Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 180 МГц, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: 2 PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 4.7 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм
PEMB16,115 Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 22 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: 2 PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 22 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм
PEMB2,115 Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 180 МГц, 47 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: 2 PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 47 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм
На странице: