Сборки цифровых транзисторов NEXPERIA

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Сборки цифровых транзисторов (113)
PEMB9,115 Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 180 МГц, 10 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: 2 PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм
PEMB9,315 Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 180 МГц, 10 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666
PEMD10,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 2.2 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 2.2 кОм+47 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 2.2 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм
PEMD12,315 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 47 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 47 кОм+47 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 47 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 469 шт
Цена от:
от 7,08
PEMD13,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 4.7 кОм+47 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 4.7 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм
PEMD14,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 47 кОм+)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 47 кОм+) Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 47 кОм
PEMD2,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 22 кОм+22 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 22 кОм+22 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 22 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 22 кОм
PEMD2,315 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 22 кОм+22 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 22 кОм+22 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666
PEMD20,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 2.2 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 2.2 кОм
PEMD24,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 100 кОм+100 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 100 кОм+100 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666
PEMD3,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 10 кОм+10 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 10 кОм
PEMD30,115 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666
PEMD4,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+) Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм
PEMD6,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+) Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 4.7 кОм
PEMD9,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 10 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 10 кОм+47 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм
PEMD9,315 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 10 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 10 кОм+47 кОм) Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666
PEMH1,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 22 кОм+22 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 22 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 22 кОм
PEMH11,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 10 кОм
PEMH13,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 4.7 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм
PEMH14,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 47 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 300 мВт Сопротивление резистора базы R1: 47 кОм
На странице: