Сборки цифровых транзисторов NEXPERIA

130
Производитель: NEXPERIA
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Сборки цифровых транзисторов (130)
PUMD10,115 PUMD10,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 2.2 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 2.2 кОм+47 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-TSSOP
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
300 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
2.2 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
Наличие:
40 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 3,76
PUMH13,115 PUMH13,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+47 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-TSSOP
Тип транзистора:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
300 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
4.7 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
Наличие:
6 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,57
PBLS1502Y,115 PBLS1502Y,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (15 В, 0.5 А, 0.2 Вт 280 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-363
PBLS1504Y,115 PBLS1504Y,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (15 В, 0.5 А, 0.2 Вт 280 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+22 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-363
PBLS2001D,115 PBLS2001D,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (20 В, 1 А, 0.25 Вт 185 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SC-74
PBLS2002D,115 PBLS2002D,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (20 В, 1 А, 0.25 Вт 185 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SC-74
PBLS2021D,115 PBLS2021D,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (20 В, 1.8 А, 0.37 Вт 130 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SC-74
PBLS2024D,115 PBLS2024D,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (20 В, 1.8 А, 0.37 Вт 130 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+22 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SC-74
PBLS4002D,115 PBLS4002D,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (40 В, 1 А, 0.25 Вт 150 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SC-74
PBLS4003D,115 PBLS4003D,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (40 В, 1 А, 0.25 Вт 150 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+10 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SC-74
PBLS6001D,115 PBLS6001D,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (60 В, 1 А, 0.25 Вт 185 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SC-74
PBLS6002D,115 PBLS6002D,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (60 В, 1 А, 0.25 Вт 185 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SC-74
PBLS6004D,115 PBLS6004D,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (60 В, 1 А, 0.25 Вт 185 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+22 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SC-74
PBLS6021D,115 PBLS6021D,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (60 В, 1 А, 0.37 Вт 150 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SC-74
PBLS6023D,115 PBLS6023D,115 TRANS,LOADSWITCH,PNP,60V,1.5A,SOT457; Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:150MHz; Power Dissipation Pd:480mW; DC Collector Current:-1.5A; DC Current Gain hFE:285
Производитель:
NEXPERIA
PBLS6024D,115 PBLS6024D,115 Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (60 В, 1 А, 0.37 Вт 150 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+22 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SC-74
PEMB1,115 PEMB1,115 Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 180 МГц, 22 кОм+22 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
300 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
22 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
22 кОм
PEMB10,115 PEMB10,115 Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 180 МГц, 2.2 кОм+47 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
300 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
2.2 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
PEMB11,115 PEMB11,115 Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 180 МГц, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
300 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
10 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
10 кОм
PEMB13,115 PEMB13,115 Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 180 МГц, 4.7 кОм+47 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
300 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
4.7 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
На странице: