Сборки цифровых транзисторов NEXPERIA

130
Производитель: NEXPERIA
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Сборки цифровых транзисторов (130)
PEMB16,115 PEMB16,115 Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 22 кОм+47 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
300 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
22 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
PEMB2,115 PEMB2,115 Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 180 МГц, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
300 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
47 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
PEMB9,115 PEMB9,115 Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 180 МГц, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
2 PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
300 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
10 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
PEMB9,315 PEMB9,315 Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 180 МГц, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
PEMD10,115 PEMD10,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 2.2 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 2.2 кОм+47 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
300 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
2.2 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
PEMD12,315 PEMD12,315 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 47 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 47 кОм+47 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
300 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
47 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 361 шт
Цена от:
от 3,68
PEMD13,115 PEMD13,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 4.7 кОм+47 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
300 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
4.7 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
PEMD14,115 PEMD14,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 47 кОм+)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 47 кОм+)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
300 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
47 кОм
PEMD16,115 PEMD16,115 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
Производитель:
NEXPERIA
PEMD2,115 PEMD2,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 22 кОм+22 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 22 кОм+22 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
300 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
22 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
22 кОм
PEMD2,315 PEMD2,315 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 22 кОм+22 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 22 кОм+22 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
PEMD20,115 PEMD20,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
300 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
2.2 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
2.2 кОм
PEMD24,115 PEMD24,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 100 кОм+100 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 100 кОм+100 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
PEMD3,115 PEMD3,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 10 кОм+10 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
300 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
10 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
10 кОм
PEMD30,115 PEMD30,115 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
PEMD4,115 PEMD4,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
300 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
10 кОм
PEMD6,115 PEMD6,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
300 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
4.7 кОм
PEMD9,115 PEMD9,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 10 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 10 кОм+47 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
NPN/PNP
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
300 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
10 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
47 кОм
PEMD9,315 PEMD9,315 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 10 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 10 кОм+47 кОм)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
PEMH1,115 PEMH1,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 22 кОм+22 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
300 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
22 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
22 кОм
На странице: