Сборки цифровых транзисторов NEXPERIA оптом и в розницу

PEMD12,315 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 47 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 47 кОм+47 кОм)

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT666

Тип транзистора:

NPN/PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

300 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

47 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

47 кОм

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 361 шт

Цена от:

от 3,84₽

PEMD13,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 4.7 кОм+47 кОм)

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT666

Тип транзистора:

NPN/PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

300 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

4.7 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

47 кОм

Сообщить о поступлении

PEMD14,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 47 кОм+)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 47 кОм+)

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT666

Тип транзистора:

NPN/PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

300 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

47 кОм

Сообщить о поступлении

PEMD16,115 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R

Производитель:

NEXPERIA

Сообщить о поступлении

PEMD2,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 22 кОм+22 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 22 кОм+22 кОм)

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT666

Тип транзистора:

NPN/PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

300 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

22 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

22 кОм

Сообщить о поступлении

PEMD2,315 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 22 кОм+22 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 22 кОм+22 кОм)

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT666

Сообщить о поступлении

PEMD20,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм)

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT666

Тип транзистора:

NPN/PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

300 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

2.2 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

2.2 кОм

Сообщить о поступлении

PEMD24,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 100 кОм+100 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 100 кОм+100 кОм)

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT666

Сообщить о поступлении

PEMD3,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 10 кОм+10 кОм)

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT666

Тип транзистора:

NPN/PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

300 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

10 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

10 кОм

Сообщить о поступлении

PEMD4,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+)

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT666

Тип транзистора:

NPN/PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

300 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

10 кОм

Сообщить о поступлении

PEMD6,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+)

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT666

Тип транзистора:

NPN/PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

300 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

4.7 кОм

Сообщить о поступлении

PEMD9,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 10 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 10 кОм+47 кОм)

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT666

Тип транзистора:

NPN/PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

300 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

10 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

47 кОм

Сообщить о поступлении

PEMD9,315 Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 10 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 10 кОм+47 кОм)

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT666

Сообщить о поступлении

PEMH1,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 22 кОм+22 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT666

Тип транзистора:

2 NPN

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

300 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

22 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

22 кОм

Сообщить о поступлении

PEMH11,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT666

Тип транзистора:

2 NPN

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

300 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

10 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

10 кОм

Сообщить о поступлении

PEMH13,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+47 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT666

Тип транзистора:

2 NPN

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

300 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

4.7 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

47 кОм

Сообщить о поступлении

PEMH14,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 47 кОм+

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT666

Тип транзистора:

2 NPN

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

300 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

47 кОм

Сообщить о поступлении

PEMH15,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT666

Тип транзистора:

2 NPN

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

300 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

4.7 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

4.7 кОм

Сообщить о поступлении

PEMH18,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 4.7 кОм+10 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT666

Тип транзистора:

2 NPN

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

300 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

4.7 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

10 кОм

Сообщить о поступлении

PEMH2,115 Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 230 МГц, 47 кОм+47 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT666

Тип транзистора:

2 NPN

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

300 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

47 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

47 кОм

Сообщить о поступлении