Сборки цифровых транзисторов ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Напряжение КЭ Макс.
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Сборки цифровых транзисторов (65)
SMUN5313DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 47 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 187 мВт Сопротивление резистора базы R1: 47 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм
Новинка SMUN5314DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 187 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм
Акция SMUN5335DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт,2.2 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 187 мВт Сопротивление резистора базы R1: 2.2 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 47 кОм
UMC3NT1G Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.15Вт, 10 кОм+10 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 10 кОм+10 кОм) соединены база и эмиттер Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN/PNP Напряжение КЭ Макс.: 50 В Мощность Макс.: 150 мВт Сопротивление резистора базы R1: 10 кОм Сопротивление резистора Э-База R2: 10 кОм
UMC5NT1G Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.15Вт, 47 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 4.7 кОм+10 кОм) соединены база и эмиттер Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323
На странице: