Сборки цифровых транзисторов ON Semiconductor оптом и в розницу

MUN5115DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Тип транзистора:

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Связаться с инженером по применению

MUN5116DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Тип транзистора:

2 PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

4.7 кОм

Связаться с инженером по применению

MUN5133DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Тип транзистора:

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Связаться с инженером по применению

MUN5135DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT363-6

Тип транзистора:

2 PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

2.2 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

47 кОм

Связаться с инженером по применению

-5% Акция

MUN5212DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 22 кОм+22 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT363-6

Тип транзистора:

2 NPN

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

22 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

22 кОм

Связаться с инженером по применению

MUN5215DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Тип транзистора:

2 NPN

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

10 кОм

Связаться с инженером по применению

MUN5216DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Тип транзистора:

2 NPN

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

4.7 кОм

Связаться с инженером по применению

MUN5230DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 1 кОм+1 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Тип транзистора:

2 NPN

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

1 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

1 кОм

Связаться с инженером по применению

MUN5234DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 22 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Тип транзистора:

2 NPN

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

22 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

47 кОм

Связаться с инженером по применению

MUN5236DW1T1G DUAL NPN BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR;

Производитель:

ON Semiconductor

Связаться с инженером по применению

MUN5237DW1T1G DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A;

Производитель:

ON Semiconductor

Связаться с инженером по применению

MUN5330DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 1 кОм+1 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Тип транзистора:

NPN/PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

1 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

1 кОм

Связаться с инженером по применению

MUN5331DW1T1G DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A, SOT-363; Digital Transistor Polarity:NPN and PNP Complement; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:2.2kohm; Base-Emitter Resi

Производитель:

ON Semiconductor

Связаться с инженером по применению

MUN5332DW1T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт,4.7 кОм+4.7 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Тип транзистора:

NPN/PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

4.7 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

4.7 кОм

Связаться с инженером по применению

MUN5335DW1T2G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт,2.2 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Связаться с инженером по применению

NSB1706DMW5T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+47 кОм (соединены эмиттеры)

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC70-5

Тип транзистора:

2 NPN

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

250 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

4.7 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

47 кОм

Связаться с инженером по применению

NSBC114EDXV6T1G Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.5 Вт, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-563-6

Тип транзистора:

2 NPN

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

500 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

10 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

10 кОм

Связаться с инженером по применению

NSBC114EPDP6T5G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.339 Вт, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-963

Тип транзистора:

NPN/PNP

Напряжение КЭ Макс.:

50 В

Мощность Макс.:

339 мВт

Сопротивление резистора базы R1:

10 кОм

Сопротивление резистора Э-База R2:

10 кОм

Связаться с инженером по применению

NSBC114EPDXV6T5G Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.5 Вт, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-563-6

Связаться с инженером по применению

NSBC114TDXV6T5G TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-563-6

Связаться с инженером по применению